IC測(cè)試常見(jiàn)問(wèn)答

　　SPEC Limit是多少?

　　首先，每個(gè)管芯(PASS的)測(cè)試時(shí)，Vout是否十分穩(wěn)定，偏差是否在+-10mv之內(nèi)，如果是，那么你CP和FT是否同一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)，或者在CP的探針卡上和DUT BOARD 上同時(shí)用Socket驗(yàn)證一個(gè)管芯!

　　要測(cè)到所有的命令,寄存器和堆棧.那你就要在設(shè)計(jì)時(shí)保證這些是可測(cè)的.即可以通過(guò)測(cè)試模式訪問(wèn)到這些寄存器和堆棧.因?yàn)槭歉咚貱PU所以時(shí)間不是問(wèn)題,只是寫(xiě)Pattern的人比較累.

　　ICC測(cè)不穩(wěn)也有可能是測(cè)試模塊有自激引起

　　有的時(shí)候樣品能通過(guò)，但芯片不通過(guò)，這有兩中可能：1、芯片做的有點(diǎn)問(wèn)題，芯片本身會(huì)存在自激;2、測(cè)試模塊也可能有輕微自激，可以用示波器在輸出端看一下波形既可，當(dāng)然輸入端不要接信號(hào)

　　看看有沒(méi)有交流成份存在

　　雖然萬(wàn)用表可以只測(cè)直流部分，但是在高速測(cè)試時(shí)

　　交流或其他波動(dòng)對(duì)測(cè)試直流的影響非常大

　　建議用示波器看看是否存在交流成份

　　如果有，是難以測(cè)準(zhǔn)的

　　是否用示波器的交流檔去看有沒(méi)有交流電流?做icc測(cè)試時(shí)速度應(yīng)該不算很快，peroid = 100ns, delay 100ms后去測(cè)，應(yīng)該可以了吧

　　你可以多設(shè)幾個(gè)采樣點(diǎn)(SAMPLE AVERAGE)，因?yàn)槟愕牟蓸狱c(diǎn)要是在翻轉(zhuǎn)邊沿上則會(huì)很大，否則可能很小。

　　1、遮光問(wèn)題。半導(dǎo)體器件受光線影響巨大(封裝后光線影響徹底消失)

　　2、濕度問(wèn)題。晶園測(cè)試環(huán)境的濕度異常的話，測(cè)出來(lái)的參數(shù)根本就不能說(shuō)明問(wèn)題

　　3、封裝本身也會(huì)使參數(shù)有些漂移(中心值漂移或離散度加大)，根本原因還是封裝前后環(huán)境變了。而半導(dǎo)體器件跟測(cè)試環(huán)境息息相關(guān)。

　　LM1875是音頻功放，測(cè)試的參數(shù)和方法也與通用運(yùn)放不一樣，應(yīng)該按照一般功率放大器的方法進(jìn)行?？梢愿鶕?jù)DATASHEET確定測(cè)試參數(shù)，測(cè)試電路也是根據(jù)應(yīng)用電路和測(cè)試方法共同確定。

　　一般在單電源供電時(shí)得使用電容耦合，為了消除1/2VCC DC偏置。但是，應(yīng)用工程師一般不希望使用這個(gè)電容，特別在HiFi情況下，會(huì)考慮電容帶來(lái)的失真。所以他們不得不使用對(duì)稱(chēng)雙電源。

　　在測(cè)試時(shí)，如果使用電容耦合，THD至少不同程度地受電容性能的影響，特別如果電容出問(wèn)題，測(cè)試就會(huì)出錯(cuò)。所以，建議能夠不用電容最好。