高亮度LED的散熱傳導(dǎo)技術(shù)探討

　　更有甚者，在液晶電視的背光上，既是使用高亮度LED，也要密集排列，且為了講究短小輕薄，使背部可用的散熱設(shè)計(jì)空間更加拘限，且若高標(biāo)要求來看也不應(yīng)使用散熱風(fēng)扇，因?yàn)轱L(fēng)扇的吵雜聲會(huì)影響電視觀賞的品味情緒。

　　散熱問題不解決有哪里些副作用？

　　好！倘若不解決散熱問題，而讓LED的熱無法排解，進(jìn)而使LED的工作溫度上升，如此會(huì)有什么影響嗎？關(guān)于此最主要的影響有二：（1）發(fā)光亮度減弱、（2）使用壽命衰減。

　　舉例而言，當(dāng)LED的p-n接面溫度（Junction Temperature）為25℃（典型工作溫度）時(shí)亮度為100，而溫度升高至75℃時(shí)亮度就減至80，到125℃剩60，到175℃時(shí)只剩40。很明顯的，接面溫度與發(fā)光亮度是呈反比線性的關(guān)系，溫度愈升高，LED亮度就愈轉(zhuǎn)暗。

　　溫度對(duì)亮度的影響是線性，但對(duì)壽命的影響就呈指數(shù)性，同樣以接面溫度為準(zhǔn)，若一直保持在50℃以下使用則LED有近20，000小時(shí)的壽命，75℃則只剩10，000小時(shí)，100℃剩5，000小時(shí)，125℃剩2，000小時(shí)，150℃剩1，000小時(shí)。溫度光從50℃變成2倍的100℃，使用壽命就從20，000小時(shí)縮成1/4倍的5，000小時(shí)，傷害極大。

　　裸晶層：光熱一體兩面的發(fā)散源頭：p-n接面

　　關(guān)于LED的散熱我們同樣從最核心處逐層向外討論，一起頭也是在p-n接面部分，解決方案一樣是將電能盡可能轉(zhuǎn)化成光能，而少轉(zhuǎn)化成熱能，也就是光能提升，熱能就降低，以此來降低發(fā)熱。

　　如果更進(jìn)一步討論，電光轉(zhuǎn)換效率即是內(nèi)部量子化效率（Internal Quantum Efficiency；IQE），今日一般而言都已有70％90％的水平，真正的癥結(jié)在于外部量子化效率（External Quantum Efficiency；EQE）的低落。

　　以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED為例，Tj接面溫度為25℃，順向驅(qū)動(dòng)電流為350mA，如此以InGaN而言，隨著波長(zhǎng)（光色）的不同，其效率約在5％27％之間，波長(zhǎng)愈高效率愈低（草綠色僅5％，藍(lán)色則可至27％），而AlInGaP方面也是隨波長(zhǎng)而有變化，但卻是波長(zhǎng)愈高效率愈高，效率大體從8％40％（淡黃色為低，橘紅最高）。

　　備注：從Lumileds公司Luxeon系列LED的橫切面可以得知，矽封膠固定住LED裸晶與裸晶上的螢光質(zhì)（若有用上螢光質(zhì)的話），然后封膠之上才有透鏡，而裸晶下方用焊接（或?qū)岣啵┡c矽子鑲嵌芯片（Silicon Sub-mount Chip）連接，此芯片也可強(qiáng)化ESD靜電防護(hù)性，往下再連接散熱塊，部分LED也直接裸晶底部與散熱塊相連。（圖片來源：Lumileds.com）

　　備注：Lumileds公司Luxeon系列LED的裸晶采行覆晶鑲嵌法，因此其藍(lán)寶石基板變成在上端，同時(shí)還加入一層銀質(zhì)作為光反射層，進(jìn)而增加光取出量，此外也在Silicon Submount內(nèi)制出兩個(gè)基納二極管（Zener Diode），使LED獲得穩(wěn)壓效果，使運(yùn)作表現(xiàn)更穩(wěn)定。（圖片來源：Lumileds.com）

　　由于增加光取出率（Extraction Efficiency，也稱：汲光效率、光取效率）也就等于減少熱發(fā)散率，等于是一個(gè)課題的兩面，而關(guān)于光取出率的提升請(qǐng)見另一篇專文：高亮度LED之「封裝光通」原理技術(shù)探析。在此不再討論。

裸晶層：基板材料、覆晶式鑲嵌

　　如何在裸晶