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          高亮度LED的散熱傳導技術探討

          作者: 時間:2013-09-09 來源:網絡 收藏
          層面增加散熱性,改變材質與幾何結構再次成為必要的手段,關于此目前最常用的兩種方式是:1.換替基板(Substrate,也稱:底板、襯底,有些地方也稱為:Carrier)的材料。2.經裸晶改采覆晶(Flip-Chip,也稱:倒晶)方式鑲嵌(mount)。

            先說明基板部分,基板的材料并不是說換就能換,必須能與裸晶材料相匹配才行,現(xiàn)有AlGaInP常用的基板材料為GaAs、Si,InGaN則為SiC、Sapphire(并使用AlN做為緩沖層)。

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            備注:為了強化的散熱,過去的FR4印刷電路板已不敷應付,因此提出了內具金屬核心的印刷電路板,稱為MCPCB,運用更底部的鋁或銅等熱傳導性較佳的金屬來加速散熱,不過也因絕緣層的特性使其熱傳導受到若干限制。(制圖:郭長佑)

            對光而言,基板不是要夠透明使其不會阻礙光,就是在發(fā)光層與基板之間再加入一個反光性的材料層,以此避免「光能」被基板所阻礙、吸收,形成浪費,例如GaAs基板即是不透光,因此再加入一個DBR(Distributed Bragg Reflector)反射層來進行反光。而Sapphire基板則是可直接反光,或透明的GaP基板可以透光。

            除此之外,基板材料也必須具備良好的熱傳導性,負責將裸晶所釋放出的熱,迅速導到更下層的散熱塊(Heat Slug)上,不過基板與散熱塊間也必須使用熱傳導良好的介接物,如焊料或導熱膏。同時裸晶上方的環(huán)氧樹脂或矽樹脂(即是指:封膠層)等也必須有一定的耐熱能力,好因應從p-n接面開始,傳導到裸晶表面的溫度。

            除了強化基板外,另一種作法是覆晶式鑲嵌,將過去位于上方的裸晶電極轉至下方,電極直接與更底部的線箔連通,如此熱也能更快傳導至下方,此種散熱法不僅用在上,現(xiàn)今高熱的CPU、GPU也早就采行此道來加速散熱。

            從傳統(tǒng)FR4 PCB到金屬核心的MCPCB

            將熱導到更下層后,就過去而言是直接運用銅箔印刷電路板(Printed Circuit Board;PCB)來散熱,也就是最常見的FR4印刷電路基板,然而隨著的發(fā)熱愈來愈高,F(xiàn)R4印刷電路基板已逐漸難以消受,理由是其熱傳導率不夠(僅0.36W/m.K)。

            為了改善電路板層面的散熱,因此提出了所謂的金屬核心的印刷電路板(Metal Core PCB;MCPCB),即是將原有的印刷電路板附貼在另外一種熱傳導效果更好的金屬上(如:鋁、銅),以此來強化散熱效果,而這片金屬位在印刷電路板內,所以才稱為「Metal Core」,MCPCB的熱傳導效率就高于傳統(tǒng)FR4 PCB,達1W/m.K2.2W/m.K。

            不過,MCPCB也有些限制,在電路系統(tǒng)運作時不能超過140℃,這個主要是來自介電層(Dielectric Layer,也稱Insulated Layer,絕緣層)的特性限制,此外在制造過程中也不得超過250℃300℃,這在過錫爐時前必須事先了解。

            附注:雖然鋁、銅都是合適的熱導熱金屬,不過礙于成本多半是選擇鋁材質。

            IMS強化MCPCB在絕緣層上的熱傳導

            MCPCB雖然比FR4 PCB散熱效果佳,但MCPCB的介電層卻沒有太好的熱傳導率,大體與FR4 PCB相同,僅0.3W/m.K,成為散熱塊與金屬核心板間的傳導瓶頸。

            為了改善此一情形,有業(yè)者提出了IMS(Insulated Metal Substrate,絕緣金屬基板)的改善法,將高分子絕緣層及銅箔電路以環(huán)氧方式直接與鋁、銅板接合,然后再將LED配置在絕緣基板上,此絕緣基板的熱傳導率就比較高,達1.12W/m.K,比之前高出37倍的傳導效率。

            更進一步的,若絕緣層依舊被認為是導熱性不佳,也有直接讓LED底部的散熱塊,透過在印刷電路板上的穿孔(Through Hole)作法,使其直接與核心金屬接觸,以此加速散熱。此作法很耐人尋味,因為過去的印刷電路板不是為插件元件焊接而鑿,就是為線路繞徑而鑿,如今卻是為散熱設計而鑿。



          關鍵詞: 高亮度 LED 散熱傳導

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