光刻膠材料的重大突破 極紫外光刻邁向?qū)嵱?/h1>
新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中,極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一,不過(guò)其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高,從上世紀(jì)八十年代開(kāi)始探尋至今已經(jīng)將近三十年, 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist),也就是用來(lái)在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對(duì)極紫外輻射 非常敏感,這樣才能刻出圖案,但同時(shí)又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。 Intel公司內(nèi)部一直在用微曝光設(shè)備(MET)對(duì)各種不同材料進(jìn)行試驗(yàn)和評(píng)估,目的就是尋找一種能夠同時(shí)滿(mǎn)足高敏感度、高分辨率、低線(xiàn)寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料,最近終于取得了重大突破。
在國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)舉行的光刻大會(huì)上,Intel就進(jìn)行了這方面的展示,使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結(jié)合極紫 外底層,以及一種相應(yīng)的漂洗劑,最終達(dá)成了22nm半節(jié)距(half pitch)分辨率,并滿(mǎn)足敏感度和LWR要求。
Intel據(jù)此驕傲地宣布,經(jīng)過(guò)數(shù)十年的不懈努力,極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向?qū)嵱茫?dāng)然了,真正商用仍 尚需時(shí)日。
藍(lán)色部分即代表光刻膠
Intel公司內(nèi)部一直在用微曝光設(shè)備(MET)對(duì)各種不同材料進(jìn)行試驗(yàn)和評(píng)估,目的就是尋找一種能夠同時(shí)滿(mǎn)足高敏感度、高分辨率、低線(xiàn)寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料,最近終于取得了重大突破。
在國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)舉行的光刻大會(huì)上,Intel就進(jìn)行了這方面的展示,使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結(jié)合極紫 外底層,以及一種相應(yīng)的漂洗劑,最終達(dá)成了22nm半節(jié)距(half pitch)分辨率,并滿(mǎn)足敏感度和LWR要求。
Intel據(jù)此驕傲地宣布,經(jīng)過(guò)數(shù)十年的不懈努力,極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向?qū)嵱茫?dāng)然了,真正商用仍 尚需時(shí)日。
藍(lán)色部分即代表光刻膠
評(píng)論