一種新型BST薄膜移相器的電路設計

1 bst材料的特性

鐵電材料鈦酸鍶鋇(bst)具有低損耗角正切，高介電常數(shù)變化率，極化速度快，耐擊穿電場大等優(yōu)點[1]。其相對介電常數(shù)具有隨電場變化的非線性特性，即鐵電體的非線性效應。

利用非線性效應，可以通過改變外加電場的電壓以獲得不同的介電常數(shù)值，從而實現(xiàn)微波相移。鐵電材料的可調(diào)性對相移量產(chǎn)生影響，其可調(diào)性定義為：

△εr/εr0 (1)

當電壓vo變到vapp，△εr0=εr0-△εapp。

在設計移相器時，希望能得到盡可能高的電可調(diào)性和盡可能低的損耗。但采用bst材料時．高電可調(diào)性和低損耗互為矛盾，表現(xiàn)在兩個方面。一是隨著材料中ba含量的提高，其電可調(diào)性增加。而損耗也隨之增加；二是bst薄膜厚度增加．其電可調(diào)性增加，同時損耗也增加。因此，在設計之初，應該權衡好電可調(diào)性與損耗。以便獲得較大的相移和可以容忍的損耗。

2 電路設計模型

利用bst材料的非線性效應，可以設計加直流偏壓的可調(diào)電容，從而設計出分布式電容共面波導結構式移相器。所謂分布式是指可變電容一個單元一個單元周期排列的安置方式。電路原理圖如圖1所示。傳輸線上周期安置著一系列壓控可變電容。電容的變化會改變傳輸線的特性阻抗，使微波信號移相。由于采用了共面波導和分布式安置，所以整個電路呈對稱結構，移相器具有互易性，可以兼顧收、發(fā)信號，同時使設計和制造更簡單。其中可變電容cvar即bst可變電容。

相移量大小由bst單元電容的比率(cmin var／cmax var)和傳輸線自身電容所決定。對于共面波導（cpw）傳輸線來講，c1、l1為每個單元線的等效電容與等效電感，可分別由式（2）和式（3）表示：

其中，z0是傳輸線的特性阻抗，c是真空速度，εeff是cpw有效介電常數(shù)。

cpw是z0和εeff可以通過式（4）運算得到[2]：

k（k）表示第一類完全橢圓函數(shù)，k（k）表示第一類橢圓余函數(shù)。

k（k）/k（k）的近似公式（精確到8×10-6）為：

這樣，移相器的結構設計與參數(shù)修調(diào)都可以自成系統(tǒng)，只需變換可變電容的形式，就可以衍生出多種特性的新型移相器，電路的結構設計由以下幾個方面共同給出[3]：

其中，lsect為可變電容間距，fbragg是微波電路的截止頻率。這種設計的優(yōu)勢在于可以方便地實現(xiàn)阻抗匹配，即在最大移相時，可變電容cvar最大，傳輸線阻抗應為50ω。在此條件下，很容易確定整個傳輸線的電路結構。

3 新型移相器設計

設計移相器時，希望能夠得到盡可能大的相移和盡可能小的損耗。要得到大的相移就需要高可調(diào)性，由前文可知，由于bst材料本身的原因，高可調(diào)性和低損耗互為矛盾，二者不可能兼得，那么勢必需要在二者之間進行權衡。有時不得不犧牲一定的相移．來得到較好的損耗。但是，科技的進步就在于人們不斷挑戰(zhàn)極限。總是希望能夠做到更好，來獲得低損耗而盡可能地少犧牲相移量。這也是本文的著重點。對于分布電容共面波導結構移相器來說，其損耗主要有以下原因：一是電路端口的匹配問題，二是傳輸線的傳輸損耗，三是加載的bst電容單元格之間產(chǎn)生的不匹配問題。對于前兩個原因．可以通過公式計算和電路仿真，盡量做到最佳匹配和最小損耗。而對于原因三，本文也提出了一種新穎的設計方案。

在研究早先的移相器之后，發(fā)現(xiàn)分布電容共面波導結構移相器一般都是周期分布的，即加載的每個電容均為統(tǒng)一大小。如果不采用這種統(tǒng)一大小的電容加載，而改為不同電容值呈周期變化加載．是否可以得到較好的結果?通過一系列的設計、調(diào)試、仿真，筆者找到了一種較好的電容排列分布．得到了一種高相移量、低損耗的移相器。

首先，確定好cpw的尺寸。設定頻率為9 ghz，采用εr=25的介質(zhì)基板，w=0．315 mm,g=0．6695mm，z0=100ω，根據(jù)公式(4)、(2)、(3)可得：c1=60x10-12／m。l1=60x10-8/m。

為了使相移和損耗的區(qū)別更加明顯，進行了72個單元組的仿真。比較結果如圖3、圖4、圖5所示。均勻加載電容移相器指單一加載可變電容最大值為65ff、最小值為42．5 ff的移相器，非均勻加載電容移相器即為上述采用循環(huán)排列組合的可變電容加載的移相器。

4 結束語

bst材料的高電可調(diào)性和低損耗相互矛盾，設計時只能盡力做到大相移和低損耗。通過本文給出的排列組合方式加載，可以尋求到相移和損耗之間的平衡點。即相移量比四種可變電容值中較小的電容單一排列時大。而損耗要比較大的電容單一排列時小。目前，只尋求到這樣一個比較有效的排列方式，相信通過進一步的研究，還可以提出更多更優(yōu)的組合方式。