安森美半導(dǎo)體推出SMART HotPlug™集成電路

安森美半導(dǎo)體（美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出SMART HotPlug™智能、高集成器件的新產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化用于經(jīng)常開(kāi)關(guān)啟動(dòng)的計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)的電路板熱拔插功率保護(hù)。這些強(qiáng)化可靠的新器件，能消除因母線干擾、過(guò)載或短路引起的高成本停機(jī)時(shí)間，適合于分布功率系統(tǒng)、高可用性服務(wù)器、磁盤(pán)陣列和熱拔插應(yīng)用。
N1S5101是安森美半導(dǎo)體計(jì)劃今年計(jì)劃推出集成熱拔插保護(hù)電路產(chǎn)品系列的首個(gè)SMART HotPlug™器件，這個(gè)創(chuàng)新器件為提供在-48伏 (V)底板安全插入和移去電子設(shè)備而設(shè)計(jì)。
雖然市場(chǎng)上有一些熱拔插控制器，但N1S5101是唯一的40毫歐、110 V 低額定智能集成MOSFET。N1S5101結(jié)合了一個(gè)智能MOSFET和電流鏡，特別是SenseFET™，傳感電阻器只檢測(cè)到一部分負(fù)載電流，從而不需要更大、更昂貴的外置電源傳感電阻，同時(shí)降低了傳感功率耗散。內(nèi)置MOSFET溫度感應(yīng)電路保護(hù)使其不致過(guò)熱。限流可調(diào)功能使設(shè)計(jì)者可將最高侵入電流從12安倍調(diào)到低過(guò)1安倍。欠壓和過(guò)壓閉鎖使負(fù)荷不會(huì) “看到”潛在不安全工作電壓。此器件能在5安倍連續(xù)電流下工作，在2個(gè)銅焊墊中只有0.3安倍，且沒(méi)有額外的散熱或氣流。如有額外的銅、散熱或氣流，它可在更高的平均電流下工作。
優(yōu)良的設(shè)計(jì)
迄今，最佳的-24 V 或 -48 V分布功率系統(tǒng)熱拔插方案需用的器件多且煩瑣，包括一個(gè)功率MOSFET，一個(gè)功率傳感電阻器和一個(gè)模擬控制器。要取得有效的熱拔插方案，控制器周?chē)枰嘀?4個(gè)額外的有源和無(wú)源元件。與此相比，N1S5101只需3個(gè)外置元件就能達(dá)到完整的熱拔插保護(hù)，即3個(gè)低功率電阻器來(lái)設(shè)定限流、過(guò)壓跳閘點(diǎn)和欠壓跳閘點(diǎn)（如果不需過(guò)壓跳閘點(diǎn)，則只要2個(gè)電阻器和N1S5101 SMART HotPlug™器件）。
關(guān)于熱傳感，N1S5101集成溫度傳感二極管，以提供高精度的熱保護(hù)。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的器件估計(jì)MOSFET接點(diǎn)溫度作為熱保護(hù)，此種集成電路設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)可能會(huì)造成嚴(yán)重的MOSFET失效或過(guò)早出現(xiàn)過(guò)電流電路跳閘情況。
安森美半導(dǎo)體副總裁兼集成電源器件部總經(jīng)理Ramesh Ramchandani 說(shuō)：“N1S5101是業(yè)界首個(gè)這樣小巧可靠又能使設(shè)計(jì)如此簡(jiǎn)易的熱拔插器件。與外面最具競(jìng)爭(zhēng)力的方案相比，安森美半導(dǎo)體的SMART HotPlug™器件節(jié)省設(shè)計(jì)熱拔插電路一半時(shí)間，減少75%所需的外部元件，便達(dá)到完整有效的熱拔插方案?！?BR>供貨情況
N1S5101有不鎖存或自動(dòng)重試熱選擇，現(xiàn)有D2Pak和7引腳SPak封裝。
如需樣品和演示板，請(qǐng)瀏覽http://www.onsemi.com/tech