功率半導(dǎo)體及LED用封裝熱阻檢測(cè)方法JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

　　相應(yīng)規(guī)格于2010年11月被管理半導(dǎo)體封裝熱特性評(píng)測(cè)技術(shù)的JEDEC JC15委員會(huì)認(rèn)定為“JESD51-14”標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)命名為：“在熱量流過(guò)單一路徑的半導(dǎo)體器件時(shí)，用于檢測(cè)結(jié)（注：器件的結(jié)點(diǎn)）－殼（注：封裝的外殼）間熱阻的雙面瞬態(tài)檢測(cè)方法”。

　　此次的標(biāo)準(zhǔn)（以及明導(dǎo)和英飛凌于2005年共同發(fā)表的方法）基于MicReD推出的下述技術(shù)：

　?。?）靜態(tài)的瞬態(tài)熱阻檢測(cè)技術(shù)（已成為JEDEC51-1標(biāo)準(zhǔn)）；

注：使用T3Ster（右上）的熱阻檢測(cè)方法。首先使用T3Ster求出溫度的時(shí)間分布（左圖）。然后使用相關(guān)軟件將時(shí)間分布信息轉(zhuǎn)換為構(gòu)造函數(shù)（右圖）。（點(diǎn)擊圖片放大）

　　（2）利用由該技術(shù)獲得的時(shí)間-溫度分布信息導(dǎo)出構(gòu)造函數(shù)（顯示熱阻-熱容關(guān)系的函數(shù)或圖形）。

另外，（1）和（2）兩技術(shù)已通過(guò)使用明導(dǎo)提供的熱阻檢測(cè)用硬件“T3Ster”及其軟件，實(shí)現(xiàn)了商品化。

　　JESD51-14的方法在包含隔離層和不包含隔離層兩種場(chǎng)合（這就是“雙面”的含義）均基于（1）和（2）這兩種技術(shù)，推算出各自的構(gòu)造函數(shù)。構(gòu)造函數(shù)一致的部分可作為結(jié)-殼間熱阻高精度求出。另外，在微處理器等散熱路徑不單一時(shí)，通過(guò)改為單一路徑的設(shè)計(jì)并多次檢測(cè)，便可求出熱阻。

　　在此次明導(dǎo)宣布上述消息的同時(shí)，英飛凌在2011年3月20～24日于美國(guó)舉行的國(guó)際會(huì)議“2011 IEEE SEMI-THERM Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium”上，發(fā)表了與JESD51-14相關(guān)的論文。另外，上面提到的MicReD部門(mén)在2005年時(shí)是一家總部設(shè)在匈牙利布達(dá)佩斯的企業(yè)（MicReD Kft.）。MicReD后被英國(guó)Flomerics Group PLC.收購(gòu)。后來(lái)明導(dǎo)又于2008年收購(gòu)了Flomerics，現(xiàn)在變成了明導(dǎo)的MicReD部門(mén)。