IGBT柵極驅(qū)動器FAN8800及其應(yīng)用
摘要:FAN8800是Fairchild公司生產(chǎn)的IGBT驅(qū)動器單片IC,可用于驅(qū)動分立和模塊式IGBTs,也可用來驅(qū)動功率MOSFET。文中介紹了FAN8800的特點(diǎn)、功能以及應(yīng)用電路。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/226529.htm關(guān)鍵詞:IGBT驅(qū)動器 OCP與SCP保護(hù) CMOS兼容 FAN8800
FAN8800是美國Fairchild公司生產(chǎn)的單只柵極驅(qū)動器IC,用于驅(qū)動IGBT模塊及功率MOSFET。這種采用8腳DIP封裝的經(jīng)濟(jì)型器件具有完善的保護(hù)功能,能夠驅(qū)動200A/600V和50~100A/1200V的IGBT。
1 引腳功能和參數(shù)
1.1 引腳功能
表1 FAN8800引腳功能
腳 號 | 引腳名稱 | 功 能 描 述 |
1 | TDUR | 故障輸出持續(xù)時間。該時間可通過該腳外部的接地電容CDUR來設(shè)定。在CDUR=25.7nF下,TDUR典型值是170μs |
2 | GND | 接地端 |
3 | IN | 柵極驅(qū)動輸出(VOUT)控制輸入 |
4 | VEE | 負(fù)電源電壓 |
5 | OUT | 柵極驅(qū)動電壓輸出端 |
6 | Vcc | 正電源電壓 |
7 | FAULT | 故障輸出。在故障情況被檢測時,該腳從邏輯低變?yōu)檫壿嫺?/td> |
8 | DESAT | 離飽和(de-saturation)電壓檢測輸入端 |
1.2 主要電氣參數(shù)
FAN8800的主要參數(shù)如下:
●最大輸出的電源電流/吸收(sink)電流:1A/2A;
●最大故障輸出電源電流/吸收電流:25mA/10mA;
●最高輸入電壓(VIN):VEE-0.3V~Vcc;
●最大工作溫度范圍:-40~105℃;
●啟動電壓:11.5V;
●欠壓閉鎖(ULVO)門限電壓:10.5V;
●電源工作電流:20mA;
●到高輸出電平的傳輸延時(TPLH):0.35μs;
●到低輸出電平的傳輸延時(TPLH):0.35μs;
●過電流保護(hù)(OCP)延盡時間(TOCP):80μs;
●短路保護(hù)(SCP)延遲時間(TSCP):0.3μs;
●上升時間(tr):50ns;
●下降時間(tf):50ns。
FAN8800的推薦工作參數(shù)如表2所列。
表2 推薦工作條件(Ta=25℃)
參 數(shù) | 符 號 | MIN | TYPE | MAX | 單 位 |
正電源電壓 | VCC | +13 | +15 | +18 | V |
負(fù)電源電壓 | VEE | -13 | -15 | -18 | V |
工作環(huán)境溫度 | Ta | -40 | 25 | 105 | ℃ |
1.3 主要特點(diǎn)
●具有過流和短路保護(hù)功能;
●內(nèi)含CMOS兼容輸入和故障狀態(tài)指示器;
●故障輸出持續(xù)時間可編程;
●內(nèi)置故障條件下的慢關(guān)斷電路;
●具有負(fù)柵極驅(qū)動能力;
●適用于集成功率模塊;
●可用來驅(qū)動單只IGBT或功率MOFET。
2 功能與作原理
FAN8800的保護(hù)電路如圖2所示。圖中的高壓快速恢復(fù)二極管D1與內(nèi)部兩個比較器用來檢測IGBT的集電極電壓而不是集電極電流。Q4與IGBT的工作狀態(tài)是相反的。300μA的電流源用于對電容CDESAT充電,其電壓為VDESAT。如果IGBT的飽和壓縮為VCE(SAT),D1的正向壓降為VF,那么,F(xiàn)SESAT=VCE(SAT)+VF。如果VDESAT≥4.5V,器件將在過電流保護(hù)(OCP)模式下工作;如果VDSAT≥6.5V,那么器件將進(jìn)入短路保護(hù)(SCP)工作模式。當(dāng)腳5上的驅(qū)動輸出信號從低態(tài)向高態(tài)轉(zhuǎn)換時,IGBT不會立即進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài),而是延時Td(no)。器件中用300μA的電流源對CDEAT充電的目的也就是為了防止Td(on)出現(xiàn)操作誤差。
如果在IGBT中出現(xiàn)一個過電流,那么在一個83μs(在IC內(nèi)部的一個固定值)的延時TOCP之后將在IC腳7上產(chǎn)生一個故障輸出信號,如圖3所示。
OCP模式產(chǎn)生的條件是:
4.5VVDESAT6.5V。
如果負(fù)載出現(xiàn)短路,F(xiàn)AN8800中的SCP電路可阻止IGBT因負(fù)載短路而發(fā)生損壞。當(dāng)通過IGBT的電流超過短路解扣電平6.5V時,經(jīng)過對電容CDESAT充電時間Tcharge和SCP延時TSCP之后,器件將產(chǎn)生一個故障輸出信號以關(guān)閉控制器,相關(guān)波形如圖4所示。為防止IGBT不出現(xiàn)誤運(yùn)輸動作,對腳8外部電容CDESAT的充電時間應(yīng)不小于1μs,一般選取3~5μs。為此,CDESAT可選取220pF并具有良好熱特性的電容器。
故障輸出持續(xù)時間TDUR=CDUR×(5V-1.4V)/55μA。當(dāng)選取CDUR為2.7nF時,TDUR為176μs。
IGBT在出現(xiàn)故障時可通過FAN8800的OCP電路進(jìn)行關(guān)斷。而關(guān)斷時的離散電感會在VCE上感生電壓尖峰,F(xiàn)AN8800可利用慢關(guān)斷電路來使電壓尖峰最小化。圖5給出了FAN8800的慢關(guān)斷等效電路圖及相關(guān)邏輯關(guān)系。利用它內(nèi)部的35mA電流源可將IGBT的VGE吸收到關(guān)斷電平,慢關(guān)斷時間TSLOW與IGBT柵極和發(fā)射極之間的內(nèi)部等效電容Cge密切相關(guān)。在Cge=4.7nF時,TSLOW約為1. 9μs。
圖6所示為帶輸出緩沖器的FAN8800柵極驅(qū)動器的慢關(guān)斷電路等效電路,圖中由于從IGBT的柵極到IC內(nèi)35mA電流源之間沒有直接通路,故在Q2與VEE之間插入了P溝道MOSFET(Q3)。在正常工作期間,IGBT與Q3是同時導(dǎo)通的。當(dāng)IGBT在正常工作條件下關(guān)斷時,Q3給出了柵極到VEE之間的一條路徑。在IGBT關(guān)斷完成之后,Q3被關(guān)斷。而當(dāng)故障信號使Q3關(guān)斷時,IGBT將在流過電阻RSLOW上的電流的作用下緩慢關(guān)斷。
3 典型應(yīng)用
圖7給出了FAN8800采用單電源的應(yīng)用電路。15V的電源電壓約330μF和0.1μF的電容濾波和高頻旁路后施加到IC的6腳。輸入信號經(jīng)光耦合器(如PC817)加至3腳,5腳上的輸出用于驅(qū)動IGBT。腳1外部4.7nF的電容可用來決定故障輸出持續(xù)時間,腳7上的故障輸出信號經(jīng)光耦合器連到指示器。
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