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          ORCAD/PSPICE 9中新元件的創(chuàng)建(圖)

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          作者: 時(shí)間:2007-02-06 來(lái)源: 收藏

          序言
            電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化eda技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用對(duì)電子設(shè)計(jì)的發(fā)展起了巨大的推動(dòng)作用。eda技術(shù)的深入發(fā)展和廣泛應(yīng)用,帶給電子設(shè)計(jì)師更完善的設(shè)計(jì)方法,更短的設(shè)計(jì)周期,使其產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力。
            orcad/pspice是orcad公司與microsim公司將兩公司在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用的orcad軟件包和pspice軟件集成在一起而構(gòu)成的eda軟件系統(tǒng),其功能相當(dāng)完整和強(qiáng)大。前段處理程序?yàn)閛rcad capture,負(fù)責(zé)電路圖的繪制、仿真參數(shù)的設(shè)置以及產(chǎn)生網(wǎng)表等報(bào)告文件。在電路圖通過(guò)驗(yàn)證后,可以進(jìn)入后續(xù)的layout plus程序進(jìn)行印刷電路板的設(shè)計(jì),或是進(jìn)入express程序進(jìn)行可編程邏輯元件pld或fpga的設(shè)計(jì)。后段orcad pspice負(fù)責(zé)軟件的仿真驗(yàn)證。
            本文著重介紹元件符號(hào)庫(kù)的建立、參數(shù)的修改、新元件的模型建立。
          符號(hào)庫(kù)的修改和建立
            eda軟件的元件模型包括符號(hào)庫(kù)和相應(yīng)的參數(shù)。如果僅僅是電路原理圖或pcb圖的需要,則只需要符號(hào)庫(kù)的內(nèi)容。如果對(duì)該符號(hào)還必須作仿真,則該符號(hào)所代表的器件必須有參數(shù)的支持,即必須對(duì)符號(hào)賦予參數(shù)。所以一個(gè)元件模型是由符號(hào)和參數(shù)兩部分組成的。
            orcad/pspice已經(jīng)內(nèi)建了約2萬(wàn)個(gè)常見(jiàn)的電子元件模型,但是隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和新元件的不斷問(wèn)世,或出于個(gè)性化設(shè)計(jì)需要,又或者內(nèi)建元件庫(kù)內(nèi)沒(méi)有合適的元件,這時(shí)就需要通過(guò)修改原有元件或創(chuàng)建新的元件等方法來(lái)建立符合要求的新元件。
          1.修改原有元件的符號(hào)
            修改原有元件的符號(hào)一般有復(fù)制、修改和保存三個(gè)步驟。
            下面以nmos管為例子,將原有如圖1所示的元件修改為圖2表示的新元件。如果不對(duì)新建符號(hào)的參數(shù)做修改,則新建模型的參數(shù)屬性將保持不變,所以無(wú)論使用哪個(gè)元件,對(duì)仿真結(jié)果都沒(méi)有影響。
            (1)復(fù)制。在原有的元件庫(kù)breakout.olb中,選取mbreakn,將其復(fù)制,粘貼到新建的庫(kù)如library2.olb內(nèi),選中復(fù)制后的元件,并點(diǎn)擊右鍵,出現(xiàn)如圖3的菜單。
            (2)修改。點(diǎn)擊圖3菜單中的edit part,即出現(xiàn)元件編輯圖窗口,利用窗口右邊的畫(huà)圖工具欄或place菜單中的繪圖指令將原mos管(圖1)修改為新mos管(圖2)。
            (3)保存。將修改后的符號(hào)存盤(pán)(可按存盤(pán)快捷鍵)。
          在完成以上三個(gè)步驟后,已經(jīng)建立起一個(gè)名為mbreakn的新元件。因?yàn)槲葱薷钠淠P蛥?shù),所以新元件的特性與原有的晶體管mbreakn完全一樣。
          2.創(chuàng)建新的元件符號(hào)
            其一般步驟:開(kāi)啟所要新增元件的元件庫(kù),或全新的元件庫(kù);編輯新元件圖,元件圖可由其他已有的元件復(fù)制過(guò)來(lái);建立新元件管腳;編輯新元件屬性;存盤(pán)。
            下面以一復(fù)合包裝led為例,按照上述過(guò)程介紹創(chuàng)建新元件的步驟。
            (1)打開(kāi)一新元件庫(kù),并選取edit菜單里的new part,則出現(xiàn)新元件屬性對(duì)話框,定義新元件的名稱(chēng)為led-bar, 元件序號(hào)前綴為u,pcb元件封裝名稱(chēng)dip10,定義每一封裝里的單元件的數(shù)目為5,設(shè)定封裝內(nèi)單元件的類(lèi)型為相同。所有設(shè)置完成后按確定。
            (2)在出現(xiàn)的新元件編輯圖窗口中,利用右邊的畫(huà)圖工具欄或place菜單中的指令畫(huà)出一個(gè)led,同時(shí)也可復(fù)制已有的led。例如我們選取discrete.lib里的led, 按edit開(kāi)啟元件編輯,而編輯區(qū)中正是這個(gè)元件,選取整個(gè)元件圖粘貼到新元件編輯圖上即可,如圖4。

            (3)對(duì)各個(gè)單元件的引腳進(jìn)行定義。點(diǎn)擊某個(gè)引腳后會(huì)出現(xiàn)一引腳屬性對(duì)話框,將各引腳進(jìn)行定義,此處定義為(a,1)和 (k,10),如圖5。
            (4)選取view菜單中的next part,出現(xiàn)一同圖4相同的led,重復(fù)步驟3定義其管腳。
            (5)重復(fù)步驟4,將剩余的三個(gè)led管腳分別定義完畢。
            (6)編輯新元件屬性。選取option菜單中的part properties,出現(xiàn)元件屬性對(duì)話框,如圖6,在其中修改各個(gè)led管的基本屬性,如管腳名,管腳數(shù)的顯示與否等。
            (7)選取view 菜單中的package來(lái)觀看整個(gè)包裝的元件情況,如圖7。如果必要還可選取option菜單中的package properties修改包裝屬性。也可通過(guò)雙擊任一單元件,切換到單個(gè)元件圖中。
            (8)存盤(pán)完成新元件創(chuàng)建。


          模型參數(shù)的修改
            當(dāng)我們需要一些特定性能的元件而庫(kù)中沒(méi)有該元件時(shí),可以通過(guò)元件編輯程序新建其仿真模型參數(shù)或修改現(xiàn)有元件的仿真模型參數(shù)以做出合乎要求的新元件。
            一般而言,比較快捷的模型建立方法是直接由元件廠商提供。而用戶(hù)較常用的情況就是在已有元件的仿真模型參數(shù)基礎(chǔ)上將其修改為合乎要求的元件。上面兩種建立符號(hào)庫(kù)的方法得到的新元件也可在調(diào)用后通過(guò)修改其原有的參數(shù)得到符合要求的新參數(shù)模型元件。
            參數(shù)修改的一般步驟是:調(diào)用庫(kù)中的原有元件;打開(kāi)原有元件的模型參數(shù)窗口;修改參數(shù);保存參數(shù)修改后的元件,即得新元件;仿真驗(yàn)證。
            下面以硅整流二極管d1n4002為例,通過(guò)如上步驟來(lái)修改參數(shù),以降低其門(mén)檻電壓vb。
            (1)調(diào)用原有的元件。從原有的元件庫(kù)diod.odb中調(diào)用硅整流二極管d1n4002。為了驗(yàn)證的方便,繪制如圖8所示電路。
            (2)打開(kāi)原有元件模型參數(shù)窗口。選中電路圖中的d1n4002,點(diǎn)擊右鍵,后選取菜單中edit pspice model,則出現(xiàn)如圖9所示的model editor窗口。
            圖9中左邊是元件模型名稱(chēng)d1n4002,右邊用pspice模型語(yǔ)句定義了它的所有模型參數(shù)。
          .model d1n4002 d(is=14.11e-9 n=1.984 rs=33.89e-3 +eg=1.110 cjo=51.17e-12 m=.2762 vj=.3905 fc=.5 +nr=2 bv=100.1 ibv=10 tt=4.761e-6)
          二極管模型語(yǔ)句的一般格式如下:
          .model d [model parameters]
            其中model name是模型名,d是二極管的類(lèi)型代號(hào),model parameters是模型參數(shù)及其值,在本例中is是飽和電流,n是注入系數(shù),rs是歐姆電阻,eg是禁帶寬度,cjo是零偏pn結(jié)電容,m是梯度因子,vj是結(jié)電勢(shì),fc是正偏耗盡電容系數(shù),nr是isr的發(fā)射系數(shù),bv是反向擊穿電壓,ibv是反向擊穿電流,ti是渡越時(shí)間。
            (3)修改參數(shù)。將飽和電流參數(shù)is由原來(lái)的14.11e-9改為14.11e-8
            (4)存盤(pán)。將參數(shù)修改后的元件保存,則得到符合要求的新元件。
            (5)仿真驗(yàn)證。如圖8所示,對(duì)新、老兩個(gè)元件設(shè)置相同的直流掃描分析參數(shù),掃描電壓為vi,由-100v到20v,步長(zhǎng)為0.01v,分別對(duì)原有元件和新元件進(jìn)行仿真。運(yùn)行后將其各自的特性曲線集合到同一窗口下,得到圖10。對(duì)比兩二極管v-i特性曲線,左邊是修改后的,右邊是未修改的,可以看到整個(gè)正向偏壓部分的曲線向左移動(dòng),門(mén)檻電壓vb變小了。可見(jiàn)修改后的二極管即是符合要求的新元件。
            此外也可以從廠家的網(wǎng)站上查找和下載所需的元件。對(duì)于入網(wǎng)的orcad用戶(hù)可以利用其元件信息系統(tǒng)(cis compent information system)從50多萬(wàn)個(gè)遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)庫(kù)查找或下載120萬(wàn)個(gè)元件,雙擊感興趣的元件就可以把它們擺到原理圖上,同時(shí)圖上的元件的參數(shù)及信息和數(shù)據(jù)庫(kù)的紀(jì)錄保持著一致,可以從原理圖上直接查看有關(guān)該元件的信息,或者把這些信息打印出來(lái)。選擇和搜尋的功能被集成在orcad capture的界面上,非常直觀,只要輸入元件號(hào)、封裝形式等其他數(shù)據(jù),就能自動(dòng)查找到和下載所需元件。


          結(jié)束語(yǔ)
            通過(guò)以上幾種途徑,工程師就可以得到任何所需的元件,可以將更多的精力集中在設(shè)計(jì)和仿真環(huán)節(jié),從而使整體的設(shè)計(jì)周期大幅縮短。



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