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          電源功率器件的散熱

          作者: 時(shí)間:2012-10-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            在穩(wěn)壓中主元器件采用功率半導(dǎo)體器件,如功率晶體管(GTR)、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等,在使用這些元器件時(shí)最重要的是如何使產(chǎn)生的熱量有效地散發(fā)出去,以得到其工作的高可靠性。的最一般方法是將元器件安裝在器上,器將熱量輻射到周圍的環(huán)境中,以通過自然對(duì)流來散發(fā)熱量。

            一般來說,從散熱器到周圍環(huán)境的熱流量P為

            式中,h為散熱器總的熱傳導(dǎo)率[W/(cm2.℃)],它由輻射及對(duì)流來決定;A為散熱器的表面積(cm2);η為散熱器效率,它由散熱器的形狀所決定;ΔT為散熱器的最高溫度與環(huán)境溫度之差(℃)。

            由式(5 -12)可知,散熱器的表面積越大,與環(huán)境溫度之差越大,散熱器的熱量輻射越有效。



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