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          改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能快速I(mǎi)GBT帶來(lái)新的挑戰(zhàn)

          作者: 時(shí)間:2012-03-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1 前言
          降低動(dòng)態(tài)功耗需要快速地開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件。一個(gè)典型的系統(tǒng)包括幾10個(gè)并聯(lián)的功率半導(dǎo)體器件,這些功率半導(dǎo)體器件在1000V直流母線(xiàn)上開(kāi)關(guān)著數(shù)1000A的電流。由此產(chǎn)生的功耗對(duì)應(yīng)用工程師來(lái)說(shuō)特別具有挑戰(zhàn)性,工程師們努力保持開(kāi)關(guān)時(shí)間盡可能的短,但這說(shuō)起來(lái)容易做起來(lái)難。
          應(yīng)用工程師要求更高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)降低動(dòng)態(tài)損耗。這是因?yàn)樾枰宰钚〉腜WM頻率而得到一個(gè)最近似的正弦輸出信號(hào)。更高的時(shí)鐘頻率減少了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中由諧波導(dǎo)致的損耗和機(jī)械應(yīng)力。而最新一代的快速開(kāi)關(guān)開(kāi)啟了各種可能性。但是,不利的一面是它們也帶來(lái)了問(wèn)題,就是對(duì)關(guān)斷電壓峰值有特別強(qiáng)烈的影響。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/230972.htm

          2 高效的關(guān)斷控制
          這項(xiàng)需求是明確的:功率半導(dǎo)體器件快速關(guān)斷。然而,這本身也存在問(wèn)題:除了更大的EMC干擾,關(guān)斷的過(guò)程中功率半導(dǎo)體器件上會(huì)產(chǎn)生危險(xiǎn)的電壓尖峰。如果超出了允許的最大阻斷電壓,功率半導(dǎo)體器件可能被損壞,通常會(huì)造成短路。圖1顯示了一個(gè)在直流母線(xiàn)電壓和交流輸出端子之間帶有短路電感LB的半橋。在這個(gè)例子中,晶體管T2導(dǎo)通時(shí)將會(huì)導(dǎo)致電流iZK(UCE可以忽略不計(jì))持續(xù)上升(回路I),由式(1)表示。
          (1)
          其中 :
          在關(guān)斷期間(回路II),iZK必須在關(guān)斷時(shí)間內(nèi)降為零。存儲(chǔ)在LZK內(nèi)的磁場(chǎng)試圖保持電流iZK,如果該電流是由吸收電容CZK吸收,這是可能實(shí)現(xiàn)的。由于該組合是一個(gè)諧振電路[3],會(huì)產(chǎn)生一個(gè)諧振頻率與LZK, CZK和RZK相對(duì)應(yīng)的衰減正弦波疊加:

          圖1 直流母線(xiàn)和帶短路電感LB(簡(jiǎn)化的)的半橋

          圖2 T2時(shí)刻的電壓uCE和電流iC

          儲(chǔ)存在電感LZK的電磁能向吸收電容充電,吸收電容電壓達(dá)到UZK+A(在t=π/2時(shí))。
          與此同時(shí),通過(guò)短路電感LB的正向電流流過(guò)二極管D1。此外,由于該電流的影響和二極管的正向恢復(fù)(圖3),產(chǎn)生了一個(gè)附加電壓分量。
          在開(kāi)關(guān)操作后,還必須觀察代表開(kāi)路的電流分支部分。由于di/dt的存在,歸總在LModule中的寄生電感確保電壓峰值高并且也被疊加。

          3 電壓曲線(xiàn)uCE
          關(guān)斷期間晶體管T2上的電壓曲線(xiàn)uCE(圖2)包括3個(gè)部分:
          uCE =UZK+uModule+uZK (3)
          ⑴ 恒定的直流母線(xiàn)電壓UZK ;
          ⑵ LModule上較大的di/dt導(dǎo)致關(guān)斷期間的電壓曲線(xiàn)uModule和續(xù)流二極管D1上的較大的di/dt;
          ⑶ 吸收電容和直流母線(xiàn)電感之間的振蕩,是由它們的諧振和LZK里所儲(chǔ)存的能量導(dǎo)致(吸收電容上的寄生電感LSn及其引線(xiàn),導(dǎo)致一個(gè)幅值略高的T=π/2的正弦波,因?yàn)樗陉P(guān)斷時(shí)間仍未被放電)。
          不同的部分應(yīng)以真正的uCE曲線(xiàn)為基礎(chǔ)來(lái)定義。這里,在關(guān)斷過(guò)程開(kāi)始的時(shí)刻UZK從零開(kāi)始,因?yàn)槲针娙莸碾妷喝匀慌c直流母線(xiàn)電壓同等級(jí),寄生電感LZK的能量轉(zhuǎn)移在這一刻才剛剛開(kāi)始。
          模塊寄生電感所導(dǎo)致的電壓和二極管正向恢復(fù)時(shí)間是di/dt的函數(shù),耦合到T2時(shí)刻的關(guān)斷過(guò)程中。唯一可被影響的di/dt是開(kāi)關(guān)時(shí)間,因?yàn)殡娏髁勘欢x為與負(fù)載相關(guān)。一旦關(guān)斷過(guò)程完成,該電壓部分將再次消失。只有在直流母線(xiàn)電路的擺動(dòng)瞬態(tài)仍然可以看到。


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