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          改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能快速I(mǎi)GBT帶來(lái)新的挑戰(zhàn)

          作者: 時(shí)間:2012-03-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          7 危險(xiǎn)行為
          加上吸收電容,直流母線就像一個(gè)諧振頻率為fRes,ZK的諧振電路。因此,可能會(huì)產(chǎn)生臨界狀態(tài)。例如,如果開(kāi)關(guān)頻率是f0的偶次因數(shù),就會(huì)出現(xiàn)臨界現(xiàn)象。在這種情況下,如果諧振電路的品質(zhì)因數(shù)足夠好,在下一個(gè)開(kāi)關(guān)操作中注入到吸收電容中的能量是同相的。這可能會(huì)在短短的幾個(gè)時(shí)鐘脈沖之后導(dǎo)致臨界的。由于測(cè)試模塊相對(duì)較差的質(zhì)量,可以預(yù)計(jì)當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率為30kHz或以上時(shí)該影響會(huì)顯現(xiàn)。
          此外,各種直流母線電路和/或模塊之間的不正確連接也可能導(dǎo)致不希望的激勵(lì),這種情況應(yīng)該在每個(gè)案例中進(jìn)行檢查。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/230972.htm

          8 總結(jié)
          關(guān)斷過(guò)程中uce-和iC的測(cè)量分析,說(shuō)明了直流母線寄生電感和模塊電感之間的相互作用。這使得在給定的應(yīng)用中非常容易分析出薄弱環(huán)節(jié),并在模擬中發(fā)現(xiàn)最大的潛力。
          可以看出,單純改變關(guān)斷速度只能降低模塊所產(chǎn)生的尖峰。直流母線電路中的主要是電流等級(jí)的函數(shù),只能通過(guò)降低di/dt略微減小。
          關(guān)斷過(guò)程的形式化描述,揭示了選擇合適的開(kāi)關(guān)速度、吸收電容和模塊設(shè)計(jì)時(shí)的可能性和限制。措施均衡結(jié)合是優(yōu)化成本、提高可靠性的一個(gè)好方法——直接在電腦上進(jìn)行,無(wú)需復(fù)雜的測(cè)試。

          參考文獻(xiàn)
          [1] Josef Lutz: Halbleiter-Leistungsbauelemente, Springer-Verlag 2006
          [2] Weizmann Institute of Science: grace / xmgrace
          [3] Steinbuch, Rupprecht: Nachrichtentechnik, Bd1: Schaltungstechnik, Springer-Verlag 1982
          [4] Application Note AN7006: Peak Voltage Measurement and Snubber Capacitors Specification


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