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          Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動(dòng)操作

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          作者: 時(shí)間:2007-02-08 來源: 收藏
            模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商  Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。

            這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封裝)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(兩者均為SOT23封裝)。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關(guān)功能,可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)。其意味著可以直接通過邏輯門來驅(qū)動(dòng)。

            三款新 MOSFET可確保1.8VGS 條件下的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON) ) 分別低于75毫歐(mΩ;)、100毫歐(mΩ)和200毫歐(mΩ),使之在低壓應(yīng)用中大顯身手,例如高端分段開關(guān)的電平轉(zhuǎn)換、升壓型轉(zhuǎn)換器電路的外置開關(guān),以及低壓微控制器和電機(jī)、電磁鐵等負(fù)載的緩沖等。

            快速開關(guān)性能是專有UMOS技術(shù)的另一個(gè)主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A的情況下,上升和下降時(shí)間僅為3.6ns和10.5ns。



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