一種基于單片機和PSD的數(shù)制化電源

摘 要 根據(jù)單片機80C196KC和現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件PSD302的特性，設(shè)計了一種數(shù)制化電源裝置，提供了程序框圖，并對其進(jìn)行了諧波分析。它是一種高性能的通用裝置，可替代傳統(tǒng)的PWM逆變電源。

關(guān)鍵詞 電力電子器件 電源 單片機 現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件

隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會進(jìn)步，人類對電能種類的需求不斷增加，如要求電能有多種制式：直流穩(wěn)壓電源、交流工頻電源、中高頻感應(yīng)加熱電源、高壓電解電源等，而且需求的數(shù)量也在不斷增加。要提供這些制式的電能，就要有許多不同的電源變換裝置。此外，為滿足各種電氣設(shè)備對電源的特殊要求，也需要一些裝置對電源進(jìn)行變換和控制。這些裝置品種繁多，其原理和構(gòu)造各不相同，且一般只有有限的功能，難以相互替代。因此，設(shè)計出一種通用的電源裝置，使它在原理和結(jié)構(gòu)上不作改動即能提供多制式的電源，具有重要的現(xiàn)實意義。然而，利用60年代的晶閘管以及70年代的自關(guān)斷器件（如GTR、GTO）構(gòu)成的電氣裝置，由于器件的工作頻率低下，難以逾越20kHz這一大關(guān)，因而效率較低，原材料消耗較大，并且系統(tǒng)的動態(tài)性能不夠理想，易引起所謂的“電力公害”。80年代急速興起的場控自關(guān)斷器件（如IGBT、VDMOS、SITH、SIT、MCT等）都是集高頻、高壓、大電流于一身的性能優(yōu)越的電壓控制器件，它們的出現(xiàn)使得設(shè)計和制造出一種通用的電源裝置成為可能。

本文以數(shù)制化電壓單元為基礎(chǔ)構(gòu)成電壓合成器（VS），再由單片機按波形重組合技術(shù)（WRT）控制VS中各單元的電子開關(guān)（IGBT），使導(dǎo)通單元的電壓迭加得到所需的波形，從而實現(xiàn)所要求的功能。

１ 系統(tǒng)組成和原理

1.1 數(shù)制化電壓單元的選取

系統(tǒng)的數(shù)制化電壓單元按如下規(guī)律選?。?/P>

先確定最小的電壓單位（如1V），并取Eo=1V作為基本單元，其次選作為高一位的單元，再次選作為更高一位的單元，……依次類推，如圖１所示。若共有Ｎ位單元，則最高位單元的電壓為：

需要指出的是，這些單元可以是恒定的直流電壓，也可以是等寬的單向脈沖電壓，甚至可以是同頻同相的交流電壓。這里只討論恒定直流電壓的情況。

1.2 電壓波形重組合 

先將擬要產(chǎn)生的波形分成若干個垂直條塊，這些條塊的寬度遠(yuǎn)小于波形的周期，可看作為具有固定幅值的矩形條塊。這樣給定的電壓波形就可用上述的數(shù)制化單元迭加得到，如圖２所示。使用二進(jìn)制的單元系列不僅可減少單元數(shù)目，簡化結(jié)構(gòu)，而且極易利用單片機來進(jìn)行控制。

1.3 主電路部分

由以上電壓迭加分析可知，各數(shù)制化電壓單元應(yīng)串聯(lián)起來，并且每個單元應(yīng)串聯(lián)一個可控制其導(dǎo)通或關(guān)斷的電子開關(guān)，構(gòu)成電壓合成器VS。綜合考慮目前電力電子器件的性能，這里選用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作電子開關(guān)。這是一種電壓控制型器件，其輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度高、開關(guān)損耗小；它的通態(tài)壓降比VKMOS還低，特別是在大電流區(qū)段；且在1/2或1/3額定電流以下區(qū)段具有負(fù)溫度系數(shù)，而在以上區(qū)段則具有正溫度系數(shù)，因此在并聯(lián)使用時具有自動調(diào)節(jié)電流的能力。另外，IGBT的安全工作區(qū)比GTR寬，而且還具有耐脈沖電流沖擊的性能，特別適于作高頻開關(guān)使用。

為了使某位數(shù)制化電壓單元在關(guān)斷時能給其它單元提供電流通路，每位單元在與其控制開關(guān)串聯(lián)后，應(yīng)再與一快速恢復(fù)二極管反向并聯(lián)，如圖３所示。用＝１表示第ｉ位單元被選通，＝０表示關(guān)斷，則AO端的電壓為：

為了使裝置能提供交變電壓，在輸出到負(fù)載之前須再加裝一開關(guān)換向橋，這四個換向開關(guān)也選用IGBT，以便于控制和得到與上述一致的性能。這樣當(dāng)導(dǎo)通、關(guān)斷時，輸出端U點的電位高于V點電位；反之，當(dāng)關(guān)斷、導(dǎo)通時，V點的電位高于Ｕ點的電位。

1.4 單片機監(jiān)控電路部分

為了簡化電路、降低消耗、增強性能，本系統(tǒng)的監(jiān)控部分主芯片擬采用80C196KC單片機和現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件PSD302。80C196KC是Intel公司的第二代CHMOS型真16位單片機，它在與外部設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)交換和內(nèi)部運算時均可采用１６位操作方式，時鐘頻率可達(dá)16MHz以上，其控制IGBT開關(guān)的時間精度可達(dá)微秒級，速度比８位單片機快得多。它的指令系統(tǒng)也更加豐富，效率更高。另外，80C196KC還新增了一個外設(shè)事務(wù)服務(wù)器(Peripheral Transaction Server即PTS)，大大提高了響應(yīng)外設(shè)中斷的速度，增強了A/D轉(zhuǎn)換器的性能（10位/8位）。因此，它特別適合于要求實時處理、實時控制的系統(tǒng)。

PSD302是一種功能很強的通用外圍接口芯片，它不僅可替代單片機最小系統(tǒng)中的地址鎖存器、譯碼器和存儲器，而且可使系統(tǒng)功能和可靠性大大增強。它有19根可單獨構(gòu)造的I/O引腳、兩個可編程陣列、內(nèi)部高速EPROM和SRAM等，可有四種工作模式供選擇，作輸入的引腳有效電平可編程，故它幾乎支持任何8位或16位微控制器。

根據(jù)上述芯片的特性，可畫出監(jiān)控部分的電路示意圖，如圖４所示。80C196KC的 P0.0和P0.1作為內(nèi)部８通道A/D轉(zhuǎn)換器的模擬輸入端，分別檢測輸出電壓和負(fù)載電流，P0口的其它線仍可作數(shù)字輸入口用，P1口和P2．6、P2．7為準(zhǔn)雙向口，可用于輸出監(jiān)測數(shù)據(jù)和聲光報警信號，P3、P4口用作系統(tǒng)總線。為了防止A/D轉(zhuǎn)換器模擬輸入端過載及增強其抗尖峰干擾的能力，應(yīng)分別加裝二極管箝位電路及阻容濾波電路。PSD302構(gòu)造為16位多路復(fù)用模式，PA、PB口均構(gòu)造為I/O輸出，分別作為VS和換分向橋的控制驅(qū)動，PC0～PC2留作備用，或作為片選輸出信號。

２ 程序流程圖

本系統(tǒng)由80C196KC的內(nèi)部定時器T0設(shè)定采樣時間間隔，T0的中斷服務(wù)程序分別采集輸出電壓和負(fù)載電流，存入PSD302的響應(yīng)SRAM中。80C196KC根據(jù)采樣值與標(biāo)準(zhǔn)值的比較發(fā)出命令給PSD302，調(diào)節(jié)輸出幅值或相位。程序流程圖如圖５所示。

３ 諧波分析

理論上講，利用數(shù)制化電源裝置可以產(chǎn)生任意形狀的電壓波形，但由于頻率很高時，IGBT的開關(guān)時間不可忽略，單片機系統(tǒng)的運行時間也必須加以考慮，故實際上只能得到近似的階梯狀曲線。以最常見的合成正弦電壓的情形為例來分析，并忽略二極管和IGBT的導(dǎo)通電壓，當(dāng)VS能輸出的最高電壓與正弦電壓的峰值接近時，輸出端UV的電壓可展成傅立葉級數(shù)

成立時，可使次以內(nèi)的諧波皆為零。例如，當(dāng)只有一位單元時，則觸發(fā)角α１為0.5236弧度，可使５次以內(nèi)的諧波為零；當(dāng)有兩位單元時，則觸發(fā)角分別為0.2037,0.4701,0.9784弧度或0.2093,0.7318,1.4953弧度，可使9次以內(nèi)的諧波為零，而9次及以上各次諧波頻率與基波頻率相差很大，易用低通濾波器濾去。若再增加幾位電壓單元，例如共用八位，如果能選擇適當(dāng)?shù)挠|發(fā)角，則513次以內(nèi)的諧波皆為零。

４ 應(yīng)用

由以上分析可知，通過改變單片機的控制方式，即可獲得各種各樣的電壓波形，例如用簡單的線性插值法，可實現(xiàn)輸出無級可調(diào)直流電壓，因此這種數(shù)制化電源裝置首先具有通用性，可用于交直流電機的正反轉(zhuǎn)控制及調(diào)速、實驗室電源等。在輸出正弦交流電壓時，它的諧波分量比普通的PWM逆變器小得多，如不使用低通濾波器，則可消除濾波器引起的波形失真。它的控制也較簡單，可用于對電源要求較高的場合，如高精度變頻調(diào)速、不間斷電源、大功率高效D/A轉(zhuǎn)換器、多電源系統(tǒng)等，原則上可取代PWM。如果用于專門用途，只輸出一種電壓波形，則整個系統(tǒng)從硬件到軟件都可進(jìn)一步優(yōu)化，以簡化設(shè)計，降低成本，提高精度，增強可靠性。

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的集成度越來越高、性能越來越強、功率也越來越大，用它們設(shè)計和制造出來的各種裝置也正朝小型化、高頻化、智能化、大功率方向發(fā)展。目前500kHz的VDMOS開關(guān)電源在市場上已有售。在采用諧振開關(guān)技術(shù)時，其開關(guān)頻率可進(jìn)一步提高到數(shù)兆赫至幾十兆赫，效率大于80%，出現(xiàn)了功率密度達(dá)每立方英寸30～50W的所謂“卡片式”開關(guān)電源。但VDMOS的導(dǎo)通電阻與成正比，限制了它在高頻中、大功率領(lǐng)域的應(yīng)用。IGBT集MOS器件與雙極型器件的優(yōu)點于一體，得到了越來越廣泛的應(yīng)用，有取代GTR和MOSFET的趨勢?？梢灶A(yù)見，未來的電力電子開關(guān)器件具有導(dǎo)通壓降更低、開關(guān)速度更高、損耗更小等特點，與現(xiàn)代控制理論相結(jié)合的數(shù)制化電源裝置功能也將進(jìn)一步增強，徹底取代PWM等也將成為必然。