全球前十大半導(dǎo)體廠資本支出排行榜

全球前十大半導(dǎo)體廠資本支出一覽

市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)表全球半導(dǎo)體廠今年資本支出預(yù)估調(diào)查，三星、英特爾、臺(tái)積電等3大廠仍是全球主要投資者，且3大廠今年資本支出就占全球資本支出總額的51.8%強(qiáng)。業(yè)界認(rèn)為，先進(jìn)制程的投資快速飆升，預(yù)估至10奈米世代時(shí)，可能只有前3大廠有能力進(jìn)行大規(guī)模投資。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，去年全球半導(dǎo)體廠資本支出總額達(dá)574.3億美元，前10大廠占比達(dá)80%，至于前3大廠占比則高達(dá)55.5%，大者恒大的態(tài)勢(shì)十分明確。今年全球半導(dǎo)體廠資本支出將達(dá)622.3億元，年增率達(dá)8%，其中前10大廠占比再攀升至81%，前3大廠占比雖然降至51.8%，但仍然維持過(guò)半。

由前10大廠資本支出變化來(lái)看，去年僅有臺(tái)積電、格羅方德(GlobalFoundries)、東芝、中芯等4家業(yè)者資本支出較前年增加，但今年除了三星之外，其余9家業(yè)者資本支出均高過(guò)去年水準(zhǔn)，其中以新帝的資本支出年增率約達(dá)86%最高，主要是與東芝合資的NANDFlash廠將在今年下半年量產(chǎn)，且3DNAND也將開(kāi)始加快研發(fā)腳步。

美光去年并購(gòu)日本DRAM廠爾必達(dá)后，今年為了加速轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米世代，并提高NANDFlash產(chǎn)能，所以預(yù)估今年資本支出將達(dá)30.5億美元、年增率高達(dá)58%，是成長(zhǎng)率第2高的業(yè)者。

業(yè)界人士認(rèn)為，今年雖然有9家業(yè)者的資本支出超過(guò)10億美元規(guī)模，但前3大廠與其它業(yè)者間的差距實(shí)在太大，如三星及英特爾資本支出今年仍超過(guò)110億美元，臺(tái)積電則略低于100億美元，幾乎是第10名中芯的年度支出的10倍以上。

當(dāng)然前3大廠之所以會(huì)投入如此龐大資金，一來(lái)是為了提高產(chǎn)能，二來(lái)則是因?yàn)橄冗M(jìn)制程的微縮投資花費(fèi)愈來(lái)愈高，如20奈米晶圓廠投資金額高達(dá)70億美元，制程研發(fā)投資高達(dá)15億美元，已經(jīng)不是一般半導(dǎo)體廠玩得起的游戲。

業(yè)界認(rèn)為，明年全球半導(dǎo)體廠將進(jìn)入3D架構(gòu)記憶體及電晶體新時(shí)代，但記憶體制程微縮帶來(lái)的成本效益已然有效，業(yè)者投資金額不太可能再放大，至于邏輯IC因進(jìn)入14/16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)世代，需要比20奈米投入更高資金進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)及研發(fā)，2017年進(jìn)入10奈米世代后，看來(lái)只有三星、英特爾、臺(tái)積電有能力進(jìn)行大規(guī)模投資。