2013年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出下滑11.5%

　　根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner的最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2013年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出總額為338億美元，較2012年下滑11.5%。晶圓級(jí)制造設(shè)備需求表現(xiàn)優(yōu)于市場(chǎng)，尤以微影(lithography)及相關(guān)制程為強(qiáng)，反觀后端制造領(lǐng)域則表現(xiàn)遠(yuǎn)不如平均值。

　　Gartner副總裁Klaus-DieterRinnen表示：「在這樣的背景之下，資本支出相形失色且集中于少數(shù)幾家領(lǐng)導(dǎo)廠商。記憶體相關(guān)支出在該年當(dāng)中的復(fù)蘇仍不足以抗衡設(shè)備銷(xiāo)售業(yè)績(jī)的下滑。盡管晶圓廠投資增加，但邏輯相關(guān)支出卻形成一股抵消力量。因而使得制造設(shè)備銷(xiāo)售業(yè)績(jī)呈現(xiàn)緩慢而線性的季成長(zhǎng)，即便第四季銷(xiāo)售量爆增亦不足以逆轉(zhuǎn)連續(xù)第二年負(fù)成長(zhǎng)。」

　　應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials)憑著沈積(deposition)及蝕刻(etch)領(lǐng)域的相對(duì)優(yōu)勢(shì)守住龍頭寶座(參見(jiàn)下表)。而艾司摩爾(ASML)則靠著微影方面的相對(duì)優(yōu)勢(shì)(盡管極紫外光[EUV]領(lǐng)域的業(yè)績(jī)有限)維持在第二名?？屏盅邪l(fā)(LamResearch)因?yàn)槲g刻和沈積的強(qiáng)勁表現(xiàn)晉升至第三名。東京威力科創(chuàng)(TokyoElectron)則和其他總部設(shè)于日本的企業(yè)一樣，受到日?qǐng)A對(duì)美元匯率大幅下滑的沖擊，以及客戶采購(gòu)模式不利的因素。

　　Rinnen指出：「值得注意的是，前十大廠商的市占率更進(jìn)一步成長(zhǎng)到70%，反觀2012年為68%。前五大廠商即占了將近全部市場(chǎng)的57%，較去年成長(zhǎng)五個(gè)百分點(diǎn)。這些大廠的進(jìn)展象征小廠在競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中失利，同時(shí)也意味著設(shè)備市場(chǎng)越來(lái)越依賴少數(shù)幾家廠商?！?/p>

　　2013年，晶圓級(jí)制造的表現(xiàn)優(yōu)于市場(chǎng)，在干式蝕刻、微影、制程自動(dòng)化以及沈積方面顯得相對(duì)強(qiáng)勁。支出選擇性集中于升級(jí)與采購(gòu)最新技術(shù)，產(chǎn)能增加很少。邏輯支出則集中于20奈米/14奈米制程的準(zhǔn)備。僅少數(shù)子領(lǐng)域出現(xiàn)成長(zhǎng)，最明顯的是微影領(lǐng)域的步進(jìn)機(jī)(stepper)、非管式(nontube)化學(xué)氣相沈積法(CVD)、導(dǎo)體蝕刻(conductoretch)、快速熱處理與熱爐，以及某些制程控制領(lǐng)域(如晶圓檢測(cè)、瑕疵審核與分類(lèi))。

　　在后端制程領(lǐng)域，所有主要類(lèi)別皆呈大幅衰退。2013年第四季尤為遲緩，因?yàn)橹饕雽?dǎo)體封裝和測(cè)試服務(wù)(SATS)大廠皆因市場(chǎng)不確定性而推延訂單。