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          基于Actel反熔絲FPGA的高速DDR接口設(shè)計

          作者: 時間:2013-05-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            0 引言

            隨著航天技術(shù)的發(fā)展,F(xiàn)PGA 等大規(guī)模邏輯器件越來越成為不可缺的角色; 同時處理數(shù)據(jù)量的增大、以及各類型接口電路的交叉使用,使得合理、可靠的高速接口設(shè)計成為衡量設(shè)計優(yōu)劣的關(guān)鍵。而由于空間環(huán)境的特殊性,導(dǎo)致近年來在軌衛(wèi)星產(chǎn)品中單粒子翻轉(zhuǎn)( SEU) 頻發(fā),使得設(shè)計人員必須考慮將以SRAM 為基礎(chǔ)的FPGA 設(shè)計移植到更為可靠的ASIC或FPGA.

            DDR( Double DataRate) 是雙倍速率讀寫技術(shù)的意思。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理方式在1 個時鐘周期內(nèi)只傳輸1 次數(shù)據(jù),是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸; 而DDR 內(nèi)存則是1 個時鐘周期內(nèi)傳輸2 次數(shù)據(jù),能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸1 次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率讀寫技術(shù)。采用DDR 技術(shù)可以在相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

            文章根據(jù)實際的背景應(yīng)用提出一種基于公司RTAX-S 系列耐輻射FPGA 芯片RTAX250S 的高速DDR 接口設(shè)計方法,并通過公司IDE V9. 0 編譯軟件和Modelsim 6. 5d 仿真軟件進(jìn)行了仿真驗證。該方法已用在某星載GMSK 調(diào)制器上,獲得了良好的效果。

            1 DDR 高速接口設(shè)計

            1. 1 RTAX – S 系列FPGA 的特點

            對于衛(wèi)星應(yīng)用,設(shè)計人員在選擇可選的技術(shù)時一向十分為難。在可編程器件領(lǐng)域,其中就包括了專用集成電路( ASIC) 、以SRAM 為基礎(chǔ)的現(xiàn)場可編程門陣列FPGA 和以反熔絲為基礎(chǔ)的FPGA.由于沒有一種技術(shù)是萬能的,衛(wèi)星設(shè)計人員與所有設(shè)計人員一樣面對同樣的挑戰(zhàn),需要針對特定的應(yīng)用權(quán)衡取舍各種特性以找出最佳方案。

            以往的設(shè)計中,以SRAM 為基礎(chǔ)的FPGA ( 以Xilinx 產(chǎn)品為代表) 有著更多的應(yīng)用,其優(yōu)勢在于擁有高邏輯密度和高靈活性,而作為航天應(yīng)用,其致命的缺點是所有SRAM 都易受高強(qiáng)度宇宙輻射所影響,來自宇宙射線中的重離子很容易在SRAM 單元中或附近沉積足夠的電荷導(dǎo)致單一數(shù)據(jù)位出錯即單粒子翻轉(zhuǎn)( SEU) ,而且由于SRAM 型FPGA 在SRAM開關(guān)中存儲其邏輯配置,因此很容易出現(xiàn)配置擾亂導(dǎo)致電路的布局和功能受到破壞,這些錯誤非常難以檢測和糾正,并且?guī)缀醪豢赡茴A(yù)防,因為配置開關(guān)在SRAM FPGA 的整個SRAM 數(shù)據(jù)位中超過90% ,輻射誘發(fā)的配置擾亂可導(dǎo)致系統(tǒng)失效。

            對于衛(wèi)星設(shè)備,ASIC 是具有最高密度最小重量和最低功耗的解決方案,然而卻缺乏FPGA 所提供的靈活性。而且當(dāng)把設(shè)計工具成本、校驗時間和非經(jīng)常性工程費用( NRE) 一并考慮之后,ASIC 也是成本較高的解決方案。

          與可重新配置的SRAM 型FPGA 不同,基于反熔絲解決方案的FPGA 采用一次性編程( OTP) .其優(yōu)點為固有的非揮發(fā)性以及在每次啟動時無須進(jìn)行強(qiáng)制性的器件配置。與ASIC 一樣,反熔絲FPGA 的上電即行功能使其成為真正的單芯片解決方案。在各種學(xué)術(shù)會議上已發(fā)表了許多輻射測試數(shù)據(jù),如IEEE 的核空間輻射影響會議( NSREC) 、NASA 的軍事和航天可編程邏輯器件國際會議( MAPLD) ,事實上,多年的測試證明,耐輻射的反熔絲FPGA 具有SEU 免疫力,其性能也不會因TID( 總電離劑量) 隨時間積累而發(fā)生劣化。眾所周知,邏輯觸發(fā)器中的數(shù)據(jù)易被宇宙輻射線所破壞,與SRAM 方案采用軟TMR( 三模冗余) 方法不同, 開發(fā)的耐輻射反熔絲FPGA RTAX-S 系列通過架構(gòu)的提升解決了這個問題,其中每個觸發(fā)器實際上是由3 個觸發(fā)器和1個表決電路組成,此舉可讓設(shè)計人員獲得優(yōu)于63MeV-cm2 /mg 的LETth,可以滿足大多衛(wèi)星項目的TID 要求。

            1. 2 典型高速接口電路應(yīng)用目標(biāo)

            文章中高速接口方案的應(yīng)用目標(biāo)為GMSK 調(diào)制器中基帶數(shù)據(jù)的數(shù)字高斯濾波。

            GMSK 調(diào)制是一種典型的恒包絡(luò)數(shù)字調(diào)制技術(shù),實現(xiàn)方法的流程圖如圖1 所示,一路待調(diào)制的基帶數(shù)據(jù)從A 處進(jìn)入FPGA,FPGA 內(nèi)部通過查表的方式得到量化后的波形數(shù)據(jù),并分別從B 處和C 處將其送給2 片DAC,得到需要的I、Q 路波形,從而完成基帶數(shù)據(jù)的數(shù)字高斯濾波。

            硬件電路的關(guān)鍵是高速DAC 器件的選擇。方案中需要DAC 實現(xiàn)4 倍采樣,即圖1 中A 處每輸入1 個碼元,B 處和C 處都要分別產(chǎn)生4 個點的量化信息給DAC.以115Mbps 碼速率為例,DAC 的采樣時鐘應(yīng)當(dāng)為115MHz × 4 = 460MHz,如果使用傳統(tǒng)的單路DAC,則FPGA 主時鐘工作在460MHz,目前宇航級FPGA 無法滿足這一速率。方案中選擇了TI 公司最新的高速DAC 產(chǎn)品DAC5670,它在最高采樣頻率達(dá)到2.4GHz 的同時,內(nèi)部集成了并串轉(zhuǎn)換模塊,這使得FPGA 的處理速率至少可以降低一半,即230MHz.

            圖1 應(yīng)用目標(biāo)實現(xiàn)流程圖DAC5670

            DAC5670 器件手冊推薦的接口框圖如圖2 所示。

            器件工作原理如下: 頻率源輸出400MHz 采樣時鐘,通過變壓器進(jìn)行單端轉(zhuǎn)差分輸入DAC 采樣鐘輸入口( DACCLK) ,DAC 內(nèi)部進(jìn)行2 級2 分頻并延遲后得到LVDS 電平115MHz 時鐘( DLYCLK) 輸出給FPGA 做數(shù)字處理,F(xiàn)PGA 處理完成后輸出LVDS的100MHz1 路時鐘( DTCLK) 和2 路14bit 的量化數(shù)據(jù)( DA( 13: 0) 和DB( 13: 0) ) .時鐘與數(shù)據(jù)的關(guān)系必須滿足圖3 所示的時序。DAC 內(nèi)部的鎖相電路將DTCLK 與器件內(nèi)部的100MHz 進(jìn)行鑒相,如果存在相差則調(diào)整DLYCLK 的延遲量,直到同步,從而保證采樣鐘DACCLK 能夠?qū)A( 13: 0) 和DB( 13: 0) 進(jìn)行正確采樣。


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