電動車逆變器大容量電容器:用3μm以下的薄膜做(下)
這一制作過程其實十分困難。首先必須以平均1小時制作約30km薄膜的速度高速旋轉(zhuǎn)滾筒,同時,還要在既不損傷薄膜、又要使金屬厚度均勻的條件下進行蒸鍍。如果金屬不均勻,就會影響到耐熱性。如果不注意金屬的冷卻方式,也會損傷薄膜。一邊通過多種傳感器監(jiān)視貼在滾筒上的薄膜的壓力、溫度及表面狀況等數(shù)值,一邊對滾筒的旋轉(zhuǎn)速度等進行恰如其分的控制,才能夠制成。
接下來,將制成的電極薄膜按照目標元件的寬度進行裁切,再卷繞數(shù)千圈制成電容器元件。在這個階段,元件呈圓筒形。通過沖壓使其變成偏平狀(圖4)。此次開發(fā)的產(chǎn)品以15個元件為一個模塊,制成偏平狀后,元件無縫隙排列,容易實現(xiàn)小型化。
圖4:使電容器元件變得偏平 此次開發(fā)的產(chǎn)品平均每個模塊使用15個電容器元件。為了提高制成模塊時的充填密度,對圓筒形元件進行沖壓,使其變成偏平狀。 |
模塊通過從元件的電極引出引線,連接到平坦的銅板上,將其放入樹脂造的殼體中組成。殼體的尺寸為:寬約240mm×縱深約170mm,體積為1.25L。
降低元件自身發(fā)熱
在第(2)項提及的耐熱性方面,此次開發(fā)產(chǎn)品的耐熱溫度達到110℃左右,較以往產(chǎn)品的85℃大為提高。此次不僅采用了近期開發(fā)的耐熱性較高的薄膜,而且由此避免了制造過程中薄膜因受熱而受到損傷。薄膜受熱后會變質(zhì),導(dǎo)致無法得到薄膜原本的耐熱性。
尤其會產(chǎn)生熱負荷的是蒸鍍工序。這是因為,高溫的金屬蒸氣要直接施加到薄膜上。在蒸鍍時提高冷卻滾筒與薄膜的貼附性,以便從內(nèi)側(cè)進行冷卻,盡可能降低蒸鍍面的溫度。
要提高耐熱性,降低電容器自身的發(fā)熱至關(guān)重要。如果出現(xiàn)自身發(fā)熱,耐熱性會產(chǎn)生實質(zhì)性下降。例如,如果耐熱性為110℃的元件有5℃的自身發(fā)熱,那么,容許環(huán)境的溫度就變成了105℃。要降低元件自身的發(fā)熱,必須在薄膜上均勻地蒸鍍金屬。金屬厚度較薄的部分電阻較大,發(fā)熱量也會增大。只要電極的一部分比較薄,整體的耐熱性便取決于這塊較薄的部分。
防止短路及過壓
第(3)項中提及的安全性方面,通過在金屬的蒸鍍圖案上下工夫,降低了發(fā)生短路時的不良影響。具體做法不是在整個薄膜表面上都蒸鍍金屬,而是做成了方格狀的圖案(圖5)。圖5中的白線為未蒸鍍金屬的部分。各個方格之間相互連接,整個薄膜表面起到一個電極的作用。
圖5:提高安全性 (a)在對薄膜進行蒸鍍時形成方格狀圖案,以便形成當(dāng)大電流流過時發(fā)生短路的機關(guān)。(b)白線為沒有蒸鍍金屬的部分。 |
假設(shè)方格中有耐壓較低的部分,發(fā)生短路時就會流過較大的電流,導(dǎo)致發(fā)熱,連接方格的金屬便會蒸發(fā)掉。因為該方格部分與其他方格絕緣,因此,不會有更多的電流流過,損害狀態(tài)便不會進一步擴大。
要想提高安全性,除了電容器本身的對策之外,不對連接電容器的IGBT等開關(guān)元件造成不良影響也至關(guān)重要。為此,防止過壓(浪涌電壓)十分重要(圖6)。如果來自電容器的電壓過高,超過IGBT的容許值,最壞的情況下會造成元件損壞。
圖6:防止IGBT的電壓破壞 如何降低電容器的浪涌電壓至關(guān)重要。為此而降低電感。 |
作為對策,理論上可以考慮采用容許電壓較大的IGBT、降低開關(guān)速度以及增加對策部件等。但如果考慮到整體的成本,選擇這些對策都十分困難。IGBT方面,一般而言,容許電壓越大則導(dǎo)通電阻越大,損失也會越大。另外,由于線圈及電容器的電阻取決于開關(guān)速度,因此,如果降低速度,則必須增大這兩者的體積以提高電阻。增加對策部件后,成本也會增加。
因此,為了在不采取上述對策的情況下抑制過壓的方法,就只能降低電感。由于過壓取決于電感與電流變化量的乘積,因此,這兩者越小,過壓也就越小。在此要減小電流變化,則必須降低開關(guān)速度,前面提到這將導(dǎo)致體積增大。剩下的辦法就只有降低電感。此次開發(fā)的產(chǎn)品的電感為5nH左右,與以往產(chǎn)品相比,這僅為以往產(chǎn)品的1/4。
要降低電感,可以通過減小所卷繞薄膜的寬度,以及增加卷繞數(shù)來實現(xiàn)。此次開發(fā)產(chǎn)品的薄膜寬度比以往產(chǎn)品減小了約20%,卷繞數(shù)增加了數(shù)千圈。如果將薄膜的寬度減到比這更小,那么薄膜兩端殘留下的無法蒸鍍部分的比例會增大,容量密度將會下降。
指月電機制作所今后將繼續(xù)改進薄膜電容器。為此已經(jīng)制定了發(fā)展藍圖(圖7)。除了小型化之外,還將采用更薄的薄膜。我們考慮到2013年采用比目前薄20%的薄膜。另外還將致力于提高耐熱性以及減少環(huán)境負荷材料等。
圖7:到2013年實現(xiàn)進一步小型化 (a)指月電機的薄膜電容器開發(fā)目標。(b)熟練運用比現(xiàn)有產(chǎn)品更薄的薄膜,到2013年將體積減小約25%。 |
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