臺積市值3.63兆 再創(chuàng)新高

　　瑞銀證券昨(27)日將臺積電合理股價預(yù)估值大幅調(diào)升至160元，并看好今年每股獲利可望賺進1個股本，推升收盤、市值分別以140元、3.63兆元，再創(chuàng)波段、歷史新高，更帶動臺股反彈42點收9,165點波段新高。

　　臺積電股價表現(xiàn)亮眼，聯(lián)發(fā)科昨股價也反彈1.75%至465元，進入外資圈所設(shè)定的450至500元盤整區(qū)間。美系外資交易室主管指出，時序進入12月，聯(lián)發(fā)科仍會醞釀一波軋空行情。

　　瑞銀證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陳慧明指出，整體而言，受到折舊費用增加，及28奈米PolySiON與14/16奈米FinFET+潛在價格競爭等因素影響，明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)獲利成長率將縮小至15%，而整體產(chǎn)業(yè)營收/資本支出比也會繼續(xù)維持在50%以上。

　　陳慧明對明年整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)看法只能算是“中性”，“大者恒大”情況會更為明顯，除了將臺積電合理股價由146元大幅調(diào)升至160元(未來1年P(guān)/B值3.8倍與2015年本益比15倍)之外，也將中芯投資評等與合理股價分別調(diào)降至“賣出”與0.72港元，至于聯(lián)電、世界先進投資評等仍維持“中立”，合理股價方面，聯(lián)電調(diào)升至13.7元，世界先進則仍為48元。

　　陳慧明預(yù)估臺積電今年每股獲利上看10元，除了看好16奈米FinFET+制程可望快速獲利，及10奈米FinFET制程進度順利外，明年預(yù)估每股將配發(fā)的現(xiàn)金股利也由3.5元調(diào)升至4元;此外，明年折舊費用成長率預(yù)估也將由過去3年的30%至35%降到15%。

　　至于聯(lián)發(fā)科，美銀美林證券亞太區(qū)科技產(chǎn)業(yè)研究部主管何浩銘(Dan Heyler)指出，與其關(guān)注4G晶片進度，不如鎖定因產(chǎn)品組合優(yōu)化所推升的毛利率，預(yù)期毛利率表現(xiàn)將會驚艷外資圈，帶動明年每股獲利上看40.11元，合理股價預(yù)估值上看604.03元。何浩銘指出，過去3個月中國智慧型手機市場呈現(xiàn)3項趨勢：一、主流智慧型手機使用者持續(xù)升級裝置，并愿意付費享受較佳的效能;二、在效能不斷進步的本土品牌業(yè)者，逐漸從國際品牌業(yè)者手中搶下市占率;三、行動處理器供應(yīng)商間競爭仍有限。