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          臺積電三星 明年強(qiáng)攻3D IC封裝
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2015-01-03
				來源：經(jīng)濟(jì)日報(bào) 
				
				
				
				
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          　　資策會MIC表示，明年包括美光、三星、海力士及臺積電等半導(dǎo)體大廠，持續(xù)精進(jìn)推出3D IC封裝技術(shù)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/267606.htm
          　　資策會產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)指出，全球首顆3D IC異質(zhì)整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube)，將在明年正式量產(chǎn)，由記憶體大廠美光(Micron)和三星(Samsung)為首的混合記憶體立方聯(lián)盟(HMCC)推出。
          　　資策會MIC表示，混合記憶體立方HMC，以3D IC技術(shù)堆疊多層動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)和一層邏輯晶片，屬于異質(zhì)整合晶片。
          　　另一方面，資策會MIC指出，記憶體大廠海力士(Hynix)明年也將推出高頻寬記憶體HBM(HighBandwidth Memory)，以3D IC技術(shù)堆疊四層DRAM，屬于同質(zhì)整合晶片。
          　　臺積電明年在3D IC領(lǐng)域，也可望明顯進(jìn)展。資策會MIC表示，臺積電明年推出最新的InFO(IntegratedFan Out)封裝技術(shù)，成本將低于目前2.5D IC層級的CoWoS技術(shù)。
          　　MIC指出，臺積電InFO封裝技術(shù)，可因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置所需晶片輕薄短小趨勢。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        三星
                        IC封裝
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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