高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長(zhǎng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。

　　東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年東芝在中國(guó)的閃存生意非常好，在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢(shì)。

　　NAND集成趨勢(shì)不可擋

　　移動(dòng)設(shè)備用存儲(chǔ)產(chǎn)品引導(dǎo)著NAND的發(fā)展趨勢(shì)，而更高程度的集成勢(shì)不可擋。東芝上半年已經(jīng)發(fā)布了15nm 128Gb的MLC產(chǎn)品，集成度進(jìn)一步提升。該產(chǎn)品可以向客戶(hù)級(jí)SSD、企業(yè)級(jí)SSD以及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品等廣泛的應(yīng)用提供支持。東芝的超高性能UFS v2.0的存儲(chǔ)器樣品也已推出，繼續(xù)引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)潮流。

　　除了在移動(dòng)設(shè)備、數(shù)字電視、數(shù)字?jǐn)z像、工業(yè)中的廣泛應(yīng)用，東芝還把e•MMCTM產(chǎn)品擴(kuò)展到了汽車(chē)中。在車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)中，東芝導(dǎo)航卡完全具有與標(biāo)準(zhǔn)SD存儲(chǔ)卡相同的功能特性，如“塊管理”、ECC糾錯(cuò)以及損耗均衡等。

　　除了MLC和MMC產(chǎn)品，東芝還率先提供24nm工藝的SLC NAND和BENAND產(chǎn)品，在該工藝下，可靠性和成本優(yōu)勢(shì)提升，用戶(hù)可以降低BOM成本并獲得可持續(xù)的長(zhǎng)期支持。

　　引領(lǐng)下一代UFS產(chǎn)品市場(chǎng)

　　憑借技術(shù)實(shí)力，東芝走在下一代UFS市場(chǎng)的前沿。

　　閃存的速度非常快，臺(tái)式電腦和筆記本電腦上最新的閃存存儲(chǔ)裝置使用適當(dāng)?shù)慕涌诤笞x寫(xiě)速度可以達(dá)到每秒約500MB。為了提升智能手機(jī)、平板電腦、電子書(shū)閱讀器等移動(dòng)設(shè)備的讀取和寫(xiě)入速度，2013年電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)發(fā)布了第二代通用閃存存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)UFS 2.0，該標(biāo)準(zhǔn)下的閃存讀寫(xiě)速度可以高達(dá)每秒1400MB，這相當(dāng)于在兩秒鐘內(nèi)讀寫(xiě)兩個(gè)CD光盤(pán)的數(shù)據(jù)，不僅相比e•MMCTM有巨大的優(yōu)勢(shì)，它甚至能夠讓電腦上使用的閃存存儲(chǔ)介質(zhì)固態(tài)硬盤(pán)也相形見(jiàn)絀，因而，業(yè)界認(rèn)為該標(biāo)準(zhǔn)會(huì)在2015年成為移動(dòng)設(shè)備的主流標(biāo)準(zhǔn)。

　　東芝展示了超高性能UFS v2.0的存儲(chǔ)器樣品，新的產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)速度上的大幅提升，連續(xù)讀取速度可以達(dá)到650MB/s，連續(xù)寫(xiě)入速度可以達(dá)到180MB/s。看來(lái)東芝已經(jīng)為未來(lái)發(fā)力準(zhǔn)備好了。

　　走向3D結(jié)構(gòu)的閃存

　　近些年，閃存速度/容量的提升及成本的降低主要依靠制造工藝的進(jìn)步。但麻煩的是，隨著工藝的進(jìn)步，對(duì)于存儲(chǔ)芯片來(lái)說(shuō)，發(fā)生了更為要命的問(wèn)題：工藝越先進(jìn)閃存芯片性能反而越差。因?yàn)樵谙嗤目臻g內(nèi)要針對(duì)更多單元做充放電的動(dòng)作，電荷干擾很?chē)?yán)重，完成數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的延時(shí)就變大，數(shù)據(jù)處理時(shí)的錯(cuò)誤率也在上升。

　　田中基仁表示，2014年?yáng)|芝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)15nm工藝NAND閃存。但在提升閃存的性能和降低成本上，15nm已經(jīng)是極限，下一代存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)向3D架構(gòu)發(fā)展。在3D時(shí)代，閃存的架構(gòu)就顯得格外重要。目前，東芝除了正在繼續(xù)開(kāi)發(fā)基于浮動(dòng)?xùn)偶軜?gòu)的先進(jìn)制程工藝外，同時(shí)也在通過(guò)研發(fā)3D結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元(BiCS)，進(jìn)一步加速芯片的大容量化。