臺(tái)積電公布16納米與10納米制程計(jì)劃

　　10納米制程節(jié)點(diǎn)

　　臺(tái)積電的16納米制程技術(shù)預(yù)定今年夏天量產(chǎn)，該公司也公布了眾所矚目的10納米制程計(jì)畫(huà);10納米制程的邏輯閘密度會(huì)是16納米制程的2.1倍，速度提升 20%，功耗則降低40%。臺(tái)積電展示了采用10納米節(jié)點(diǎn)的256MByte容量SRAM，預(yù)計(jì)10納米節(jié)點(diǎn)將在2016年底開(kāi)始生產(chǎn)，并透露有10家以 上的夥伴正進(jìn)行不同階段的設(shè)計(jì)。

　　“我們認(rèn)為10納米將會(huì)是持久技術(shù)節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電也將加速10納米制程進(jìn)度，我認(rèn)為這對(duì)產(chǎn)業(yè)界來(lái)說(shuō)是一個(gè)很不錯(cuò)的征兆;”Jones表示：“隨著10納米節(jié)點(diǎn)加速進(jìn)展──他們可能最后會(huì)邁向8納米節(jié)點(diǎn)──臺(tái)積電將拉近與英特爾(Intel)的差距，我認(rèn)為臺(tái)積電運(yùn)勢(shì)正好?！?/p>

　　Jone指出，臺(tái)積電已經(jīng)在16納米以及10納米技術(shù)投資115億至120億美元，這意味著該公司必須要有客戶到位;為了強(qiáng)化10納米制程的承諾，臺(tái)積電將在2016年第二季進(jìn)行一座新晶圓廠的10納米制程設(shè)備裝機(jī)，并將在本季在一座現(xiàn)有晶圓廠移入10納米設(shè)備。

　　英特爾將會(huì)是臺(tái)積電在10納米制程節(jié)點(diǎn)的主要競(jìng)爭(zhēng)者，前者預(yù)期在接下來(lái)10~18個(gè)月量產(chǎn)10納米制程;而兩者之間的競(jìng)爭(zhēng)重點(diǎn)或許不在于量產(chǎn)時(shí)程，而是英特 爾的設(shè)計(jì)實(shí)力以及制造技術(shù)方面的問(wèn)題?！斑€不清楚誰(shuí)會(huì)在16/14納米制程領(lǐng)先，但我認(rèn)為臺(tái)積電正積極嘗試在10納米節(jié)點(diǎn)超前;”Jone表示：“如果真是如此，臺(tái)積電追上了英特爾，屆時(shí)就要看臺(tái)積電的10納米與英特爾的10納米是否相同?！?/p>