中國下個(gè)購并標(biāo)的：NAND Flash控制芯片

　　中國政府近來積極透過中資集團(tuán)陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司，期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?，F(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì)MIC認(rèn)為，中資集團(tuán)下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　資策會(huì)MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、邏輯IC封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商進(jìn)行合作，不過眼前在記憶體制造方面尚未有明顯突破。

　　洪春暉進(jìn)一步解釋，由于中國對(duì)記憶體的需求高，但又礙于缺乏該領(lǐng)域的技術(shù)，因此也急欲藉由購并與投資等方式，加速布局記憶體上下游供應(yīng)鏈，譬如今年紫光集團(tuán)便想收購美光(Micron)。

　　資策會(huì)MIC關(guān)鍵零組件組資深產(chǎn)業(yè)分析師兼組長施雅茹更指出，中國強(qiáng)力布局記憶體市場(chǎng)，其動(dòng)作可以從紫光集團(tuán)花了38億美元入股WD、購并SanDisk等案一窺端倪。同時(shí)，亦能觀察到中國的政府基金，近期比較聚焦在NAND Flash，主要原因是由于NAND Flash后續(xù)的成長率要比DRAM來得高。

　　施雅茹分析，當(dāng)前中國的政府基金大約還剩160億，而這部分資金應(yīng)該會(huì)投入在NAND Flash的上下游供應(yīng)鏈，尤其NAND Flash控制IC將可能成為下一個(gè)購并的目標(biāo)，而此筆政府基金是否會(huì)投入NAND Flash則有待后續(xù)觀察。

　　洪春暉認(rèn)為，2016年全球半導(dǎo)體整并風(fēng)潮仍會(huì)延續(xù)，而臺(tái)灣面對(duì)該股風(fēng)潮，則須審慎選擇適當(dāng)合作標(biāo)的，透過靈活的競合策略，來布局新興應(yīng)用與市場(chǎng)。