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          一種減少全橋變換器環(huán)流損耗的策略

          作者:■ 華南理工大學(xué)電力學(xué)院雅達(dá)實(shí)驗(yàn)室 王少華 何志偉 蔡毅 時間:2005-01-17 來源:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用2004年第11期 收藏

          摘    要:本文提出了一種副邊帶電路的PWM全橋變換器,實(shí)現(xiàn)了超前橋臂的零電壓開通和關(guān)斷,滯后橋臂的零電流開通和關(guān)斷,減少了占空比損失,并且克服了全橋變化器在環(huán)流過程中存在的。應(yīng)用本拓?fù)渲谱髁艘慌_功率1.2KW頻率100KHz的樣機(jī)。
          關(guān)鍵詞:;;;
          引言
          目前,全橋變換器應(yīng)用于很多大功率場合,尤其是ZVS-FB-PWM變換器應(yīng)用更為廣泛。ZVS-FB-PWM變換器具有以下優(yōu)點(diǎn):應(yīng)用,控制簡單;電壓、電流應(yīng)力??;功率密度大;開關(guān)管實(shí)現(xiàn)了軟開關(guān),提高了電路的效率等。但它也存在著一些弊端:為了實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)致使占空比損失,尤其是在開關(guān)過程中存在環(huán)流問題,產(chǎn)生了不必要的損耗,阻礙了電路效率的提高。本文提出了一種新穎的ZVZCS-FB-PWM變換器,有效地解決了ZVS-FB-PWM變換器存在的環(huán)流問題。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/4366.htm

          ZVZCS-FB-PWM變換器
          拓?fù)潆娐芳肮ぷ髟?br/>ZVZCS-FB-PWM變換器的拓?fù)潆娐芳肮ぷ鞑ㄐ畏謩e如圖1和圖2所示。在一個開關(guān)周期中,該變換器有十六個開關(guān)狀態(tài)。在分析之前,作如下假設(shè):所有開關(guān)管、二極管、電感、電容和變壓器均為理想器件;LS≥LLK;LS足夠大,在一個開關(guān)周期中,其電流基本保持不變?yōu)镮O。
          模式1:【t0-t1】
          t0時刻,S1和S4同時導(dǎo)通,電容C5通過二極管D5充電。副邊電壓被嵌位在,在諧振過程中儲存在漏感中的能量傳遞到副邊,一次側(cè)電流IP可表示為:

          其中n為原邊與副邊之比。通過C5的電流IC可表示為:
          IC = 
          C5的充電時間和變壓器的漏感LLK、Vin和C5有關(guān)。
          模式2:【t1-t2】
          t1時刻, C5的電壓達(dá)到最大值,D5截至。副邊電壓變?yōu)?能量通過S1、變壓器和S4傳遞給負(fù)載。
          模式3:【t2-t3】
          t2時刻,S1關(guān)斷,C1開始充電,C3開始放電。S1兩端的電壓為

          如果C1和C3比較大,S1兩端的電壓在開關(guān)管關(guān)斷過程中被嵌位在零附近,因此S1為零電壓關(guān)斷。在這個過程中,副邊電壓也以IO/(C1+C3)的斜率下降。當(dāng)C1兩端的電壓上升到Vin,C3兩端的電壓下降到零后,S3的反并二極管D3導(dǎo)通,S3兩端的電壓被嵌位在零,此后可以開通S3,則S3為零電壓開通。S1和S3的死區(qū)時間Td應(yīng)滿足下面的條件才能實(shí)現(xiàn)超前橋臂的零點(diǎn)開通:

          模式4:【t3-t4】
          t3時刻開通S3,由于D3導(dǎo)通,S3兩端的電壓被嵌位在零,所以S3為零電壓開通。此時雖然S3已經(jīng)開通,但沒有電流流過。電流流過D3、變壓器和S4在原邊形成環(huán)流,造成了不必要的損耗,阻礙了電路效率的提高。在這個模態(tài)中,原邊電流IP可表示為:

          其中VLK為加在變壓器漏感LLK兩端的電壓??傻茫呺娏飨陆禐榱闼枰臅r間Treset為:

          為了使原邊電流迅速下降為零,在開通S3的同時開通S5。當(dāng)S5開通后,副邊電壓變?yōu)?,原邊電壓變?yōu)?。使原邊電流迅速下降到零,減少了,同時為滯后橋臂的零電流開通提供了條件。
          模式5:【t4-t5】
          t4時刻,原邊電流降到零,副邊整流二極管DS1關(guān)斷,電容C5通過S5為負(fù)載提供能量。
          模式6:【t5-t6】
          t5時刻,關(guān)斷S5,電容C5停止向負(fù)載提供能量。副邊電壓變?yōu)榱?,DS1和DS2同時導(dǎo)通進(jìn)行續(xù)流。在此過程中沒有電流流過原邊。
          模式7:【t6-t7】
          t6時刻,關(guān)斷S4,此時沒有電流流過S4,因此S4為零電流關(guān)斷。因?yàn)镮GBT中的少數(shù)載流子已經(jīng)被結(jié)合,所以沒有脫位電流存在。
          模式8:【t7-t8】
          t7時刻,開通S2,由于漏感LLK的存在,流過原邊的電流不能突變,因此開關(guān)管S2為零點(diǎn)壓開通。原邊電流IP可表示為:

          此時原邊電流不能提供足夠大的負(fù)載電流,副邊整流二極管仍然同時導(dǎo)通進(jìn)行續(xù)流。
          模式9:【t8-t9】
          t8時刻,原邊電流IP達(dá)到最大值,整流二極管DS1關(guān)斷。電源通過S3、變壓器和S2向負(fù)載傳遞能量。
          以上為ZVZCS-FB-PWM變換器的半個周期,下半個周期的開關(guān)過程與上半個周期類似。

          新拓?fù)潆娐返膬?yōu)點(diǎn)
          超前橋臂和滯后橋臂實(shí)現(xiàn)了
          軟開關(guān)(ZVZCS)
          該電路通過在前橋臂附加兩個電容實(shí)現(xiàn)了前橋臂的零電壓開通和關(guān)斷;在次級加上嵌位電路實(shí)現(xiàn)了后橋臂的零電流開通和關(guān)斷。與通常的ZVZCS-FB-DWM變換器相比,沒有加入阻性元件來實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),因此,避免了額外的損耗和占空比損失,并且減小了開關(guān)管的電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力。
          大大減少了環(huán)流損耗
          在全橋環(huán)流過程中Treset跟VLK和漏感成正比。當(dāng)副邊沒有嵌位電路時,加在變壓器漏感LLK兩端的只是漏感自感電壓,一般只有幾十伏,導(dǎo)致Treset比較大,在此過程中會有很大的環(huán)流損耗;當(dāng)副邊帶有嵌位電路時,在開通S2和S4時同時開通嵌位開關(guān)管S5,副邊電壓變?yōu)?,副邊反射到原邊的電壓等于n(大于等于Vin),從而使原邊電流迅速下降到零,大大減少了環(huán)流損耗,提高了系統(tǒng)的效率,并且可以增大電路的功率。
          提高了占空比
          在開關(guān)模式5中,雖然電源沒有給負(fù)載供電,但是儲存在C5中的能量繼續(xù)傳給負(fù)載。使得Vrect=VC5副邊高電壓時間大于原邊,如圖3所示。其中DLt為傳導(dǎo)損失時間;DBt為次級提升時間;Ts為開關(guān)周期。

          因?yàn)镈Bt>DLt,所以副邊電壓占空比大于原邊。
          采用新拓?fù)潆娐分谱髁艘慌_功率為1.2kW,頻率為100kHz的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)。電路的主要參數(shù)為:輸入直流電壓200V;輸出直流電壓48V;輸出最大電流25A;主開關(guān)管IGBT (G4PC50FD);嵌位開關(guān)管MOSFET(IRF44);變壓器原邊與副邊之比為20:7;變壓器的漏感2.4m;嵌位電容6.8m;輸出濾波電容470m;輸出濾波電感39.2m;整流二極管為BQY28。該樣機(jī)的最大效率可達(dá)到94.2%。

          結(jié)語
          本文提出了一種新穎的副邊帶有電路的ZVZCS-FB-PWM變換器,有效地解決了ZVS-FB-PWM變換器存在的環(huán)流問題,提高了電路的效率,增加了變換器的占空比,并且可以使電路的功率大于10KW。本拓?fù)湟泊嬖谝恍┤秉c(diǎn),如嵌位電路的開關(guān)管工作在硬關(guān)斷狀態(tài),這有待于進(jìn)一步地研究和改進(jìn)?!?/p>

          參考文獻(xiàn)
          1 張占松, 蔡宣三.  開關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì). 北京:電子工業(yè)出版社, 2001
          2 阮新波, 嚴(yán)仰光. 直流開關(guān)電源的軟開關(guān)技術(shù). 北京:科學(xué)出版社, 2000



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