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          用于 DDR/QDR 存儲(chǔ)器終端的雙輸出、兩相、無(wú)檢測(cè)電阻型同步控制器采用4mm x 4mm DFN 封裝

          作者:eaw 時(shí)間:2005-04-18 來(lái)源:eaw 收藏

          (Linear Technology)推出用于 DDR/QDR 存儲(chǔ)器終端應(yīng)用的兩相、雙輸出同步降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器 LTC3776。該控制器的第二輸出(VTT)可將其輸出電壓穩(wěn)定在 1/2 VREF(通常是 VDDQ),同時(shí)可對(duì)稱(chēng)地提供或吸收輸出電流。LTC3776 采用 2.75V 至 9.8V 輸入工作,能在無(wú)需任何外部偏置情況下采用 3.3V 輸入電壓軌工作。無(wú)檢測(cè)電阻(No RSENSETM)、恒定頻率、電流模式架構(gòu)免除了增設(shè)檢測(cè)電阻的需要,并提高了效率。兩個(gè)控制器異相工作最大限度地降低了因輸入電容 ESR 所引致的功率損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。
          LTC3776 的開(kāi)關(guān)頻率可編程至高達(dá) 750kHz,允許使用小的表面貼裝電感器和電容器。就噪聲敏感應(yīng)用而言,LTC3776 的開(kāi)關(guān)頻率可以用鎖相環(huán)電路實(shí)現(xiàn)與外部頻率同步,頻率范圍為 250kHz 至 850kHz,或啟動(dòng)擴(kuò)頻工作模式。強(qiáng)迫持續(xù)工作也能降低噪聲和 RF 干擾。用于 VDDQ 的軟啟動(dòng)從內(nèi)部提供,也可擴(kuò)展至使用外部電容器。其它特點(diǎn)還包括低壓降 100% 占空比工作、電源良好輸出電壓監(jiān)視器和輸出過(guò)壓保護(hù)等。
          分別采用 4mm x 4mm QFN-24 和 SSOP-24 的 LTC3776EUF 和 LTC3776EGN 均有現(xiàn)貨供應(yīng)。以 1,000 片為單位批量購(gòu)買(mǎi),LTC3776EUF 和 LTC3776EGN 的每片起價(jià)均為 3.75 美元。
          性能概要:LTC3776

          •無(wú)需電流檢測(cè)電阻
          •異相控制器降低所需的輸入電容
          •VOUT2 跟蹤 1/2 VREF
          •對(duì)稱(chēng)的提供/吸收輸出電流能力(VOUT2)
          •擴(kuò)頻工作(使能時(shí))
          •寬 VIN 范圍:2.75V 至 9.8V
          •恒定頻率電流模式工作
          •0.6V



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