微電子工藝專有名詞（3）
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102 LAYOUT 布局 此名詞用在IC設(shè)計(jì)時(shí)，是指將設(shè)計(jì)者根據(jù)客戶需求所設(shè)計(jì)之線路，經(jīng)由CAD（計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)），轉(zhuǎn)換成實(shí)際制作IC時(shí)，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，關(guān)系到光罩制作出后是和原設(shè)計(jì)者之要求符何，因此必須根據(jù)一定之規(guī)則，好比一場(chǎng)游戲一樣，必須循一定之規(guī)則，才能順利完成，而布局完成后之圖形便是IC工廠制作時(shí)所看到的光罩圖形。
103 LOAD LOCK 傳送室 用來隔絕反應(yīng)室與外界大器直接接觸，以確保反應(yīng)室內(nèi)之潔凈，降低反應(yīng)是受污染之程度。一般用于電漿蝕刻及金屬濺度等具有真空反應(yīng)室之設(shè)備。
104 LOT NUMBER 批號(hào) 批號(hào)乃是為線上所有材料之身份證，KEY IN批號(hào)如同申報(bào)流動(dòng)戶口，經(jīng)由COMAX系統(tǒng)藉以管制追蹤每批材料之所在站別，并得以查出每批材料之詳細(xì)相關(guān)資料，固為生產(chǎn)過程中之重要步驟。批號(hào)為7，其編排方法如下： X X X X X 年碼 流水序號(hào)92 0000193 0000294 00003以下類推※批號(hào)之產(chǎn)生乃于最投片時(shí)由SMS系統(tǒng)自動(dòng)產(chǎn)生。
105 LPCVD（LOW PRESSURE） 低壓化學(xué)氣相沉積 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低壓化學(xué)氣相沉積。這是一種沉積方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、復(fù)晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。
106 LP SINTER 低壓燒結(jié) 低壓燒結(jié)（Low Pressure Sinter, LP Sinter），指在低于大氣壓力下（一般為50 Pa或更地），加熱組件。目地在使金屬膜內(nèi)之原子，籍由熱運(yùn)動(dòng)重新排列，以減少原有之晶格缺陷，形成較佳之金屬結(jié)晶顆粒以增加膜之品質(zhì)。由于在低壓下熱傳導(dǎo)之途徑主要為輻射（Radiation）而非對(duì)流（Convection）或傳導(dǎo)（Conduction），因此控溫之方式須選以加熱線圈為監(jiān)控溫度（Spike Control）而非實(shí)際芯片或管內(nèi)之溫度（Profile Control），以避免過熱（Over-Shooting）之現(xiàn)象。
107 LPY（LASER PROBE YIELD） 雷射修補(bǔ)前測(cè)試良率 針測(cè)出能夠被雷射修補(bǔ)后，產(chǎn)生出全功能的芯片，比便送入雷射修補(bǔ)機(jī)，完成雷射修補(bǔ)的動(dòng)作。此測(cè)試時(shí)由全功能芯片一開始就是全功能芯片，須要經(jīng)過雷射修補(bǔ)前測(cè)試，計(jì)算出缺陷多寡及位置，以便進(jìn)行雷射修補(bǔ)，將缺陷較少的芯片修補(bǔ)成全功能芯片。（缺陷超過一定限度時(shí)無法修補(bǔ)成全功能芯片）
108 MASK 光罩 MASK原意為面具，而事實(shí)上光罩在整個(gè)IC制作流程上，所扮演之角色藝有幾分神似。光ˋ照主要之用途在于利用光阻制程，將我們所需要之圖形一直復(fù)印在芯片上，制作很多之IC晶方。而光罩所用只對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)，也分為1X，5X，10X,MASK（即1:1,5:1,10:1）等，而根據(jù)其制作之材質(zhì)又可分為石英光罩（QUARTY），綠玻璃光罩等。
109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微，微米 1.定義：Micro為10-6 1 Micro=10-61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我們說1μ即為10-6 m又因?yàn)??=10-8㎝=10-10m（原子大?。┕?μ=10，000?約唯一萬個(gè)原子堆積而成的厚度或長(zhǎng)度。
110 MISALIGN 對(duì)準(zhǔn)不良 1.定義：這層光阻圖案和上層【即留在芯片上者】圖案疊對(duì)不好，超出規(guī)格?？梢勒詹煌瑢哟蔚囊?guī)格決定要不要修改。原因：人為、機(jī)臺(tái)、芯片彎曲、光罩
111 MOS 金氧半導(dǎo)體 1.定義：構(gòu)成IC的晶體管結(jié)構(gòu)可分為兩型－雙載子型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。雙載子型IC的運(yùn)算速度較快但電力消耗較大，制造工程也復(fù)雜，并不是VLSI的主流，而MOS型是由電廠效應(yīng)晶體管（FET）集積化而成。先在硅上形成絕緣氧化膜之后，再由它上面的外加電極（金屬或復(fù)晶硅）加入電場(chǎng)來控制其動(dòng)作，制程上比較簡(jiǎn)單，，。也較不耗電，最早成為實(shí)用化的是P-MOS，但其動(dòng)作速度較慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦進(jìn)入VLSI的領(lǐng)域之后，NMOS的功率消耗還是太大了于是由P-MOS及 N_MOS組合而成速度更高，電力消耗更少的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS，Complementary MOS）遂成為主流。
112 MPY（MULTI PROBE YIELD） 多功能偵測(cè)良率 針測(cè)出符合電路特性要求的芯片，以便送刀封包工廠制成內(nèi)存成品；此測(cè)試時(shí)得到的良品率稱之。每片晶圓上并不是每一個(gè)芯片都能符合電路特性的要求，因此須要多功能針測(cè)以找出符合要求的芯片。
113 MTBF（MEAN TIME BETWEEN FAILURE） MTBF為設(shè)備可靠度的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一，其意指設(shè)備前后發(fā)生故障的平均時(shí)間。MTBF時(shí)間愈短表示設(shè)備的可靠度愈佳，另外MTTR為Mean Time to Repair為評(píng)估設(shè)備修復(fù)的能力。
114 N2,NITROGEN 氮?dú)?定義：空氣中約4/5是氮?dú)?。氮?dú)鈩?shì)一安定之惰性氣體，由于取得不難且安定，故Fib內(nèi)常用以當(dāng)作Purge管路，除去臟污、保護(hù)氣氛、傳送氣體（Carrier Gas）、及稀釋（Dilute）用途。另外，氮?dú)庠诹阆?96℃（77F）以下即以液態(tài)存在，故常被用作真空冷卻源?，F(xiàn)在Fab內(nèi)Clean House用之氮?dú)鉃閺S務(wù)提供99.999﹪純度者，生產(chǎn)線路所用之氮?dú)鉃槠垦b更高純度者。因氮?dú)庵昧靠删植糠磻?yīng)生產(chǎn)成本，故應(yīng)節(jié)約使用以降低成本。
115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半導(dǎo)體 1. 定義：一般金屬由于阻值相當(dāng)?shù)停?0-2Ω－㎝以下），因此稱之為良導(dǎo)體，而氧化物阻值高至105Ω－㎝以上，稱之非導(dǎo)體或絕緣體。若阻值在10-2～105Ω－㎝之間，則名為半導(dǎo)體。IC工業(yè)使用的硅芯片，阻值就是在半導(dǎo)體的范圍，但由于Si（硅）是四價(jià)鍵結(jié)（共價(jià)鍵）的結(jié)構(gòu)，若參雜有如砷（As）磷（P）等五價(jià)元素，且占據(jù)硅原子的地位（Substitutional Sites），則多出一個(gè)電子，可用來導(dǎo)電，使導(dǎo)電性增加，稱之為N型半導(dǎo)體。若參雜硼（B）等三價(jià)元素，且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結(jié)少了一個(gè)電子，因此其它鍵結(jié)電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過來填補(bǔ)，如此連續(xù)的電子填補(bǔ)，稱之為電洞傳導(dǎo)，亦使硅之導(dǎo)電性增加，稱之為P型半導(dǎo)體。因此N型半導(dǎo)體中，其主要帶電粒子為帶負(fù)電的電子，而在P型半導(dǎo)體中，則為帶正電的電洞。在平衡狀況下（室溫）不管N型或P型半導(dǎo)體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對(duì)減少。
116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS） 無參入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃 NSG為半導(dǎo)體集成電路中之絕緣層材料，通常以化學(xué)氣相沉積的方式聲稱，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質(zhì)。主要應(yīng)用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產(chǎn)生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后績(jī)平坦化制程薄膜的生成。
117 NUMERICAL APERTURE（N.A.） 數(shù)值孔徑 1. 定義：NA是投影式對(duì)準(zhǔn)機(jī)，其光學(xué)系統(tǒng)之解析力（Resolution）好壞的一項(xiàng)指針。NA值越大，則其解析力也越佳。依照定義，數(shù)值孔徑 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f換算成照相機(jī)光圈值f-number（f/#）可得f/#=f/d=1/2NA（D：鏡面直徑。f：鏡頭焦距。n：鏡頭折射率。f/#即我們?cè)谡障鄼C(jī)鏡頭之光圈值上常見的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是）亦即，鏡片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但鏡片的制作也就越困難，因?yàn)橐桩a(chǎn)生色差（Chromatic Aberration）及像畸變（Distorsion），以CANON Stepper為例，其NA=0.42，換算成照相機(jī)光圈,Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。
118 OEB（OXIDE ETCH BACK ） 氧化層平坦化蝕刻 將Poly-1上之多余氧化層（Filling OX）除去，以達(dá)到平坦化之目的。
119 OHMIC CONTACT 歐姆接觸 1. 定義：歐姆接觸試紙金屬與半導(dǎo)體之接觸，而其接觸面之電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身之電阻，使得組件操作時(shí)，大部分的電壓降在于活動(dòng)區(qū)（Active region）而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有兩個(gè)先決條件：A.金屬與半導(dǎo)體間有低的接口能障（Barrier Height）B.半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)滲入（ND>=1018 ㎝-3）前者可使接口電流中熱激發(fā)部分（Thermionic Emission）增加；后者則使接口空乏區(qū)變窄，電子有更多的機(jī)會(huì)直接穿透（Tunneling），而同時(shí)Rc阻值降低。若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙（Energy Gap）較大的半導(dǎo)體（如GaAs），則較難形成歐姆接觸（無適當(dāng)?shù)慕饘倏捎茫?，必須于半?dǎo)體表面參雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等結(jié)構(gòu)。
120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE） 氧化層-氮化層-氧化層 半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì)（類似電容器），以儲(chǔ)存電荷，使得資料得以在此存取。在此氧化層 - 氮化層 – 氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶的結(jié)合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷（如pinhole）的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補(bǔ)所缺。
121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST） 使用期限（壽命） 任何對(duì)象從開始使用到失效所花時(shí)間為失敗時(shí)間（Time of Failure: TF），對(duì)產(chǎn)品而言，針對(duì)其工作使用環(huán)境（Operation），所找出的TF，即為其使用期限（Operation Life Time）。其方法為：AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours
122 OXYGEN 氧氣 OXYGEN氧氣無色,無氣味,無味道雙原子氣體。在－183℃液化成淺藍(lán)色的液體，在218℃固化。在海平面上，空氣中約占20﹪體積的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在電漿光阻去除中，氧氣主要用來去除光阻用。在電漿干蝕刻中，氧混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前氧氣主要用途在于電漿光阻去除；利用氧氣在電漿中產(chǎn)生氧的自由基（RADICAL）與光阻中的有機(jī)物反應(yīng)，產(chǎn)生二氧化碳和水氣體蒸發(fā)，達(dá)到去除光阻的效果。
123 P31 磷
評(píng)論