東洋紡開發(fā)出線膨脹系數(shù)與硅芯片相同薄膜

東洋紡在“JPCAShow2007”（2007年5月30日～6月1日，東京有明國際會展中心）上，展出了線膨脹系數(shù)與硅芯片相同的聚酰亞胺薄膜“Zenomax”。  

原來的聚酰亞胺薄膜的線膨脹系數(shù)為20～30ppm/℃，而新開發(fā)的產(chǎn)品則與硅片相同，僅為3ppm/℃。因此，由溫度變化導致的硅芯片與聚酰亞胺之間的剝離就不易產(chǎn)生，東洋紡認為可將聚酰亞胺作為封裝底板使用。  

Zenomax還具有高耐熱性特點。原來的聚酰亞胺的耐熱溫度為350℃，而此次開發(fā)的產(chǎn)品為500℃。 

該薄膜是通過將該公司的核心技術——耐熱聚合物合成技術與薄膜制膜技術的相互融合實現(xiàn)的。為了實現(xiàn)與硅芯片相同的線膨脹系數(shù)，通過對單體材料實施某種特殊處理進行了聚合。可制造的薄膜厚度在5μm以上。 

開發(fā)產(chǎn)品的目標是替代積層多層板、新一代半導體封裝的絕緣材料，乃至陶瓷底板。另外，東洋紡認為，此次的薄膜還可應用于配備有加熱器的底板等在高溫下使用的底板。該公司打算在1～2年內(nèi)向市場投放產(chǎn)品。