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          新型DC/DC電源控制芯片DPA426的應(yīng)用

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          作者:張雙喜 張曉濤 時(shí)間:2007-08-16 來源:慧聰網(wǎng) 收藏
          引言

            是PI(PowerIntegrationGmbH)公司設(shè)計(jì)的,高度集成的控制芯片。它內(nèi)部集成了一個(gè)200V的高頻功率MOSFET,并將PWM控制、工作頻率選擇、輸入過欠壓檢測(cè)、可編程電流限制、ON/OFF開關(guān)控制、外部時(shí)鐘同步、軟啟動(dòng)及關(guān)斷自動(dòng)重啟動(dòng)、熱關(guān)斷保護(hù)等功能集于一身。只需極少的外部元器件就可實(shí)現(xiàn)眾多功能,不但使設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化,節(jié)省空間,而且可降低成本。支持正激和反激工作模式,工作頻率高,貼片式封裝;若將外圍元器件及變壓器采用貼片元器件和平面變壓器,并采用鋁基板設(shè)計(jì),就可實(shí)現(xiàn)模塊化設(shè)計(jì)。另外,只是DPASwitch系列控制芯片中的一種,它最大輸出100W,還有DPA423-425,輸出功率分別為18W,35W,70W,用戶可根據(jù)需要選用。

          內(nèi)部功能框圖 

            1 DPA426簡(jiǎn)介

            DPA426的輸入電壓范圍為16~75V,其內(nèi)部功能框圖見圖1,外形封裝見圖2,各管腳功能如下:

            腳1CONTROL(C)控制腳,接內(nèi)部誤差放大器同相輸入端,為反饋電流輸入端,用于占空比控制;

            腳2LINESENSE(L)在線感應(yīng)腳,用于過、欠壓檢測(cè),ON/OFF開關(guān)控制及外部時(shí)鐘同步;

            腳3EXTERNALCURRENTLIMIT(X)外部電流限制腳,用于輸入電流的可編程限制;

            腳4SOURCE(S)接芯片內(nèi)部功率MOSFET源極;

            腳5FREQUENCY(F)用于選擇工作頻率;

            腳7DRAIN(D)接芯片內(nèi)部功率MOSFET漏極。

          外形封裝圖和輸入過欠壓檢測(cè)電路

            下面介紹一下各功能的實(shí)現(xiàn)。

            頻率選擇將腳5與腳4短接,工作頻率為400kHz;將腳5與腳1短接,工作頻率為300kHz,腳5不能懸空。

            輸入過欠壓檢測(cè)輸入欠壓保護(hù)的作用是使輸入電壓達(dá)到設(shè)定值時(shí),芯片才開始工作,防止誤觸發(fā);過壓保護(hù)則是保護(hù)電路輸入部分,不會(huì)因輸入電壓過高而損壞,見圖3。

            可編程電流限制將一電阻RIL接于腳3與腳4之間,就可實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)部功率MOSFET漏極電流的限制,防止因輸出過流或短路引起的損壞,見圖4。

          漏極電流限制電路

            ON/OFF開關(guān)控制可實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的開關(guān)控制,腳3若懸空則芯片停止工作,見圖5;若在三極在開啟時(shí),防止浪涌電流過大而損壞內(nèi)部功率MOSFET及防止變壓器飽和;自動(dòng)重啟動(dòng)功能是在電路工作不正常時(shí),使芯片處在一種低功耗的保護(hù)狀態(tài),恢復(fù)正常后使電路重新啟動(dòng)。

            熱關(guān)斷保護(hù)用來保護(hù)芯片不因過熱而損壞,當(dāng)芯片溫度高于137℃時(shí),芯片內(nèi)部保護(hù)電路會(huì)使內(nèi)部功率MOSFET停止工作;當(dāng)芯片溫度低于110℃時(shí),保護(hù)會(huì)自動(dòng)解除,芯片繼續(xù)工作。

          外部時(shí)鐘同步電路

            2 電路設(shè)計(jì)

            實(shí)用電路見圖8。

          實(shí)用電路 

            圖8是一標(biāo)準(zhǔn)單路輸出、正激式變換器,輸入電壓為36~72V,48V輸時(shí)效率可達(dá)90%。電阻R1設(shè)置輸入過、欠壓保護(hù)分別為33V和86V;R3用來設(shè)置輸入電流限制;腳5連接于腳1使芯片工作于300kHz;VR1用來嵌位功率MOSFET的漏極電壓并使磁芯復(fù)位;C9及R5用來保護(hù)Q2,使漏源電壓不超過Vdss;次級(jí)功率MOSFETQ1,Q2用來實(shí)現(xiàn)同步整流,提高整機(jī)工作效率;L2的初級(jí)用作輸出扼流圈,次級(jí)整流、濾波后為芯片提供偏置電流;穩(wěn)壓部分采用了比較器431,與R10及R11組成的輸出分壓網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行比較,并通過偏置繞組提供的偏置電流完成穩(wěn)壓;D3及C13組成一個(gè)軟啟動(dòng)網(wǎng)絡(luò),與芯片內(nèi)部限流、軟啟動(dòng)共同用來防止啟動(dòng)時(shí)的過沖現(xiàn)象,R7用來給C13放電;R6,C16,R12,C14,R9,R4,C5共同完成控制循環(huán)響應(yīng)。

            3 結(jié)語

            綜上所述可以看出,DPASwithc系列芯片是一種高度集成的芯片,正因?yàn)樗母叨燃啥乖O(shè)計(jì)得到簡(jiǎn)化,設(shè)計(jì)者感到方便、簡(jiǎn)捷。

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