根據(jù)國外媒體報導， NAND閃存市場上的競爭業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個領域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭，也在準備因應市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍，市場領導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshiba在日本的新晶圓廠即將投入生產(chǎn)，該公司一方面在開發(fā)43-nm NAND產(chǎn)品線，另一方面也在開發(fā)3-bit-per-cell的技術(shù)。全球第三大供貨商Hynix Semiconductor，計劃將第三季的位產(chǎn)量增加一倍。
另外，IM Flash Technologies增加在猶他州十二寸晶圓廠的產(chǎn)量，該公司已在生產(chǎn)50-nm組件，并在開發(fā)40-nm以下的產(chǎn)品。由于Samsung在本月初發(fā)生停電導致停產(chǎn)的事件，其它NAND供貨商都希望能夠從中獲利。其實，市場調(diào)研公司認為停電事件對于Samsung與其它競爭者而言也許都是好事，因為它減少了供貨，有助于價位的上揚。DRAMexchange的數(shù)據(jù)顯示，NAND組件的和約價格，在八月上半上升了15%至20%。
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