NAND閃存迎來(lái)大發(fā)展 新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點(diǎn)

據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個(gè)世界。
　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會(huì)”上說(shuō)，一方面，NAND閃存正在打跨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對(duì)1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構(gòu)成了威脅。

　　他說(shuō)，NAND下一個(gè)大市場(chǎng)將是視頻，明年，市場(chǎng)上將會(huì)出現(xiàn)配置了更多閃存的相機(jī)和拍照手機(jī)。明年，市場(chǎng)上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。

　　在未來(lái)的5-7年內(nèi)，NAND還將開(kāi)始取代DRAM。由于技術(shù)進(jìn)步非?？?，NAND已經(jīng)由2001年的價(jià)格遠(yuǎn)高于DRAM發(fā)展到了2007年遠(yuǎn)低于DRAM。IBM和其它廠商已經(jīng)在開(kāi)發(fā)依賴NAND的固態(tài)服務(wù)器。

　　但是，NAND也面臨一些困難：要繼續(xù)改進(jìn)NAND芯片已經(jīng)很困難了。Harari說(shuō)，NAND的發(fā)展速度肯定會(huì)慢下來(lái)，存在一些基本的應(yīng)用限制和基本的物理限制。我們還可以再發(fā)展3、4代，甚至是5代技術(shù)，然后，我們就需要全新的技術(shù)了。

　　問(wèn)題在于這些芯片中的零件不能再被進(jìn)一步縮小了。隧道氧化層可能被縮小到約80埃。在其它的芯片中，隧道氧化層能被縮小到12埃。

　　數(shù)據(jù)丟失是另一個(gè)問(wèn)題。閃存通過(guò)在存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)電流的方式記錄數(shù)據(jù)。Harari說(shuō)，在0.032微米工藝中，我們不能泄露32個(gè)電子。30個(gè)電子聽(tīng)起來(lái)很多，但其實(shí)是非常小的。

　　轉(zhuǎn)折點(diǎn)可能出現(xiàn)在0.02微米工藝芯片中。采用0.02微米工藝后，NAND芯片將能夠存儲(chǔ)256Gb數(shù)據(jù)，每個(gè)數(shù)據(jù)位的成本將只有目前的十分之一，但要利用現(xiàn)有的制造工藝和材料進(jìn)一步改進(jìn)NAND芯片則是極其困難的。

　　有哪些可替代性技術(shù)呢？SanDisk將開(kāi)發(fā)以3D方式排列晶體管的技術(shù)。Harari表示，當(dāng)土地很昂貴后，我們可以向高空發(fā)展。SanDisk收購(gòu)了3D內(nèi)存芯片廠商Matrix Semiconductor。但是，Matrix芯片是不可重寫(xiě)的，解決這一問(wèn)題將是SanDisk的重中之重。

　　廠商還將在一個(gè)單元中存儲(chǔ)多個(gè)數(shù)據(jù)位。目前，存儲(chǔ)密度最高的芯片能夠在1個(gè)單元內(nèi)存儲(chǔ)2個(gè)數(shù)據(jù)位，未來(lái)2、3年還將出現(xiàn)每個(gè)單元存儲(chǔ)3個(gè)數(shù)據(jù)位的芯片，此后還會(huì)出現(xiàn)每個(gè)單元存儲(chǔ)4個(gè)數(shù)據(jù)位的芯片。目前，大多數(shù)廠商還沒(méi)有過(guò)多地討論每個(gè)單元存儲(chǔ)3個(gè)數(shù)據(jù)位的芯片。其它公司還在開(kāi)發(fā)相位改變內(nèi)存等技術(shù)。

　　成本是另外一個(gè)重要問(wèn)題。Harari表示，生產(chǎn)線的建設(shè)成本已經(jīng)高達(dá)50億美元，全球生產(chǎn)工廠近50%的生產(chǎn)能力將在未來(lái)2年內(nèi)得到更新。NAND芯片廠商為此需要投入大量資金。

　　新生產(chǎn)線將使生產(chǎn)效率最高的廠商每年將價(jià)格下調(diào)30%-45%。不幸的是，在過(guò)去的二年中，NAND價(jià)格每年下滑的幅度高達(dá)60%。如果成本每年只能降低40%，價(jià)格就無(wú)法下調(diào)60%。并購(gòu)將成為不可避免的一種選擇。