可存儲10萬年的新型納米內(nèi)存器件
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美國賓夕法尼亞大學(xué)研究人員已開發(fā)出的一種新型納米器件,也許能將這些想象變成現(xiàn)實。這種納米器件能存儲10萬年的電腦數(shù)據(jù),檢索數(shù)據(jù)的速度比現(xiàn)有的快1000倍,而且比目前的內(nèi)存技術(shù)更省電、存儲空間更小。
該校材料科學(xué)與工程系副教授阿格瓦爾及同事采用自組裝工藝,用納米金屬催化劑作為媒介,使化學(xué)反應(yīng)劑在低溫下結(jié)晶,自發(fā)形成了直徑為30—50納米、長度為10微米的納米線。這種納米線是一種能在非晶和晶體結(jié)構(gòu)間實現(xiàn)開關(guān)功能的相變材料,是對電腦內(nèi)存進行讀寫的關(guān)鍵。
研究人員對最后定型的納米線進行了測量,測量數(shù)據(jù)包括“寫”電流幅值、在非晶和晶相之間開關(guān)的速度、長期穩(wěn)定性以及數(shù)據(jù)保留的時間。測試結(jié)果顯示,數(shù)據(jù)編碼的功耗極低,數(shù)據(jù)寫、擦除和檢索的時間僅為50納秒,比普通閃存快1000倍。
而且這個器件甚至用上10萬年也不會丟失數(shù)據(jù),這就為實現(xiàn)萬億位的非易失性內(nèi)存密度提供了可能。對非易失性內(nèi)存應(yīng)用來說,在電流感應(yīng)相變系統(tǒng)中,原子級的納米器件也許是最終的尺寸極限。
研究人員稱,相變內(nèi)存技術(shù)相較于閃存等其他內(nèi)存技術(shù)具有讀寫快、穩(wěn)定性高、構(gòu)建簡單的特點。通過常規(guī)光刻技術(shù),在不破壞有效性能的情況下就能降低相變材料的尺寸。這種新型內(nèi)存對消費者共享信息、傳輸數(shù)據(jù)甚至下載娛樂資料的方式將產(chǎn)生革命性的影響,消費者將能獲取和存儲“海量”的數(shù)據(jù)。
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