供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

　　美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。

　　NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)致了供應(yīng)過剩。

　　DRAM的行情方面，受到預(yù)計(jì)之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季節(jié)需求低迷的影響，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步惡化。2007年9月以后DRAM市場價(jià)格已跌至生產(chǎn)成本以下，512M容量DDR2產(chǎn)品的價(jià)格已經(jīng)崩潰。在亞洲市場上，現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)跌破1美元。受到此次價(jià)格下跌的影響，2007年第四季度DRAM廠商的業(yè)績預(yù)計(jì)將趨于惡化，DRAM市場整體收益的惡化將持續(xù)至2008年第一季度。

　　不過，iSuppli預(yù)測，在今后幾個(gè)季度內(nèi)，內(nèi)存市場將會(huì)逐漸恢復(fù)。在庫存減少及產(chǎn)量(按bit換算)減少的推動(dòng)下，DRAM市場將首先恢復(fù)，多數(shù)廠商將在2008年第二季度實(shí)現(xiàn)盈利。另一方面，NAND閃存的行情在第二季度仍將惡化，到第三季度將開始反彈。但是，這一預(yù)測的前提是內(nèi)存廠商不進(jìn)行會(huì)導(dǎo)致DRAM價(jià)格進(jìn)一步下跌的增產(chǎn)，市場的恢復(fù)也可能會(huì)因廠商的動(dòng)向而推遲。