FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術

　　FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術在自對準多晶硅化物形成后去除了未反應的金屬薄膜。通過實現這一新的工藝，IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過程中，大幅度減少化學品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統中已經采用了FSI ViPR™技術，并將用于升級最近已經在生產現場安裝的系統。

　　鎳鉑硅化物最早應用于65nm邏輯器件，因為它的阻抗更低，從而可實現器件性能的大幅改善。但在早期應用中，業界發現在不損害鎳鉑硅化物區域的情況下，去除未反應的鎳和鉑是非常有挑戰性的。在2005年，FSI憑借其新開發的鎳鉑剝離工藝解決了這一問題。

　　隨著業界使用鎳鉑硅化物的經驗增加，IC制造商觀察到更低的硅化物形成溫度可降低結泄漏電流。不過，這一溫度更低的工藝在金屬去除步驟中帶來了其它的復雜性，并使得高良率的集成方案無法實現。新的基于FSI ViPR™的工藝沒有這一限制，從而使得這樣一個低成本、高良率低溫退火鎳鉑硅化物工藝得以實現。