英飛凌全新MOSFET系列為工業(yè)、消費(fèi)和電信應(yīng)用降低30%功耗

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出三個(gè)全新的功率半導(dǎo)體系列，進(jìn)一步豐富廣博的OptiMOSTM 3 N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。OptiMOS3 40V、60V 和 80V系列可在導(dǎo)通電阻等重要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)方面提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能， 使其能夠在采用標(biāo)準(zhǔn)TO(晶體管外形)封裝的條件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V 和80V系列具備較低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻，與其他競(jìng)爭(zhēng)性解決方案相比，可增加高達(dá)30%的功率密度，使相關(guān)應(yīng)用的組件數(shù)降低25%以上。

　　這些全新的MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備以及電動(dòng)工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類設(shè)備采用的SMPS(開關(guān)模式電源)、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

　　全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的RDS(on)(導(dǎo)通電阻)，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8TM 封裝具備最低1.6 mΩ的導(dǎo)通電阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封裝具備最低3.5 mΩ的導(dǎo)通電阻，OptiMOS 3 80V采用D2 –PAK封裝具備最低2.5 mΩ的導(dǎo)通電阻。這些器件的FOM(優(yōu)值，通過(guò)導(dǎo)通電阻乘以柵極電荷得出) 與同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比高出25%，能夠快速實(shí)現(xiàn)開關(guān)，同時(shí)最大程度降低傳導(dǎo)損耗和導(dǎo)通功耗，提高功率密度。此外，它還能降低驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的熱量，因此可提高系統(tǒng)的可靠性。另外，較低的導(dǎo)通電阻允許采用3 mm x 3 mm S3O8(Shrink SuperSO8)等小型封裝，因此在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)只需較小的空間，提高了功率密度。

　　英飛凌電源管理與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf表示：“作為全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)袖，英飛凌憑借豐富的OptiMOS MOSFET系列產(chǎn)品，使低壓功率轉(zhuǎn)換與管理應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了最佳的性能和效率。我們利用在功率半導(dǎo)體制造和封裝方面的領(lǐng)先技術(shù)，不斷改進(jìn)器件性能，同時(shí)逐步降低外形尺寸，增大功率密度，提供出色的性價(jià)比。全新的OptiMOS3系列具有一流的效率和開關(guān)特性，有助于電源和電機(jī)設(shè)計(jì)者滿足日益嚴(yán)格的節(jié)能要求，同時(shí)保證提供用戶所需的卓越性能。”

　　OptiMOS3 40V、60V 和 80V產(chǎn)品詳情

　　OptiMOS 3 40V系列可滿足多種應(yīng)用中的快速開關(guān)SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求，比如打印機(jī)、非絕緣工業(yè)轉(zhuǎn)換器和絕緣DC/DC轉(zhuǎn)換器，在這些應(yīng)用中30V MOSFET不能提供足夠的擊穿電壓。在SuperSO8封裝下，OptiMOS 3 40V系列的導(dǎo)通電阻低至1.6mΩ，比最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手要低50%以上。該特性以及1°K/W的熱阻和100A的持續(xù)電流額定值為40V系列的低阻抗MOSFET設(shè)立了新基準(zhǔn)。該系列還包括業(yè)界首款采用S3O8封裝的40V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)SO8或SuperSO8器件相比減少了60%。

　　OptiMOS3 60V 和 80V系列主要用于SMPS和電機(jī)控制裝置及直流/直流無(wú)刷電機(jī)和有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的二次側(cè)整流。OptiMOS3 80V系列也是適用于電信應(yīng)用產(chǎn)品的理想器件。這種全新的MOSFET可提供一流的導(dǎo)通電阻;例如OptiMOS3 80V采用TO-220封裝可提供2.8 mΩ導(dǎo)通電阻，而其他同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品提供的導(dǎo)通電阻不低于3.3 mΩ。較低的導(dǎo)通電阻結(jié)合0.5° K/W的熱阻和100A的持續(xù)電流額定值，使英飛凌全新MOSFET成為60V與80 V系列功率半導(dǎo)體中首屈一指的產(chǎn)品。它們還采用了D-PAK封裝，與傳統(tǒng)的D2-PAK封裝相比，可使所需的板卡空間降低50%以上，同時(shí)使SMPS產(chǎn)品設(shè)計(jì)的封裝高度降低40%。

　　供貨與定價(jià)

　　全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝以及SuperSO8和S3O8封裝，具有不同的導(dǎo)通電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)，40V 和 80V器件目前只提供樣品。采用SSO8封裝且導(dǎo)通電阻為1.6 mΩ的OptiMOS 3 40V，在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)件時(shí)其單價(jià)不超過(guò)0.99美元(0.68歐元)。在同樣訂購(gòu)量下，采用D-PAK封裝的3.5 mΩ OptiMOS 3 60V的單價(jià)為0.99美元(0.68歐元)，而采用TO-220封裝的2.8 mΩ OptiMOS 3 80V的單價(jià)為1.99美元(1.37歐元)。