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          閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

          作者: 時(shí)間:2008-04-09 來源:中國電子報(bào) 收藏

             如果憑老東家的實(shí)力,新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問題,其一是在專注的存儲器領(lǐng)域強(qiáng)手如林,新公司能否脫穎而出;其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/81351.htm

           

              全球頭號芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲器廠Numonyx,中文名叫恒憶公司,于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合、(兩種存儲器類型)及內(nèi)置(內(nèi)存)的存儲器,并利用新型相變移位存儲器(PCM)技術(shù),為存儲器市場開發(fā)提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。公司主要為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。

              如果憑老東家的實(shí)力,新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問題,其一是在專注的存儲器領(lǐng)域強(qiáng)手如林,新公司能否脫穎而出;其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。所以新公司的前景讓人打上問號。

           

          Numonyx先天不足

           

              對于兩家巨頭公司而言,業(yè)務(wù)已成燙手山芋。翻閱2006年它們的成績單:2006財(cái)年ST的業(yè)務(wù)總營收為15.7億美元,虧損達(dá)5300萬美元;英特爾業(yè)務(wù)在2006年總營收雖為21億美元,但虧損達(dá)到了6.38億美元。

              而在2007年第一季度,依然虧損態(tài)勢不減。在2007年一季度兩家公司的閃存業(yè)務(wù)繼續(xù)虧損嚴(yán)重,ST閃存業(yè)務(wù)營收僅為3.23億美元,更是虧損了1700萬美元,創(chuàng)出歷史之最。英特爾閃存業(yè)務(wù)營收為4.69億美元,總虧損已達(dá)2.83億美元。iSuppli在2006年估計(jì)全球NOR閃存時(shí)表示,ST和英特爾合計(jì)占有NOR閃存的40%,Spansion占31%,Samsung占9%。而到2007年第一季度,他們的市場份額已下滑至36%,而Spansion增長至32%,Samsung上升到將近占13%。

              閃存業(yè)務(wù)2006年只占英特爾總營收的6%多一點(diǎn),已是英特爾的雞肋業(yè)務(wù),將之剝離主體業(yè)務(wù)成為不二選擇。而ST于2006年的營收為98.5億美元,在全球半導(dǎo)體業(yè)中排名位居前三強(qiáng),它在高能效器件、汽車等諸多領(lǐng)域成績斐然,顯然也希望將閃存業(yè)務(wù)剝離,亦有利于輕裝上陣。所以雙方成立合資公司,可能有兩層目的,一方面有助于英特爾與意法半導(dǎo)體能擺脫虧損的NOR閃存芯片制造業(yè)務(wù)對公司業(yè)績的影響。另一方面當(dāng)然也設(shè)想依靠兩者市場份額相加之后超過40%的實(shí)力,有望打造一個(gè)全新的閃存王國。

              意法半導(dǎo)體公司副總裁兼大中國區(qū)總經(jīng)理BobKrysiak表示兩家早有合并之意。而且閃存市場的特點(diǎn),取得成功需要大規(guī)模的制造和量產(chǎn)能力,即建造超級Fab(晶圓廠)。

              但是實(shí)際上兩家都有難處及自己的計(jì)劃。在全球NOR閃存領(lǐng)域,Spansion目前坐頭把交椅。Spansion對于此次英特爾與意法半導(dǎo)體在閃存業(yè)務(wù)上的合并反應(yīng)并不如想象中那么強(qiáng)烈。

              Spansion表示,這將使客戶對供應(yīng)商的選擇多樣化,市場價(jià)格也更趨于穩(wěn)定和理性,從而為Spansion提供了良好的機(jī)遇以獲取更多的市場份額。Spansion強(qiáng)調(diào)其競爭優(yōu)勢在于:仍然是唯一一家投資300mm晶圓制造能力的NOR閃存供應(yīng)商,并且正在逐步實(shí)施具有突破性的計(jì)劃——— 在2007年實(shí)現(xiàn)65nmMirrorBit技術(shù)在300mm晶圓上的量產(chǎn),以及在2008年推出45nmMirrorBit技術(shù)。堅(jiān)信通過這些計(jì)劃的實(shí)施,Spansion將擁有NOR閃存行業(yè)最低的成本結(jié)構(gòu),并有能力創(chuàng)造差異化的增值解決方案。

              而業(yè)界之所以對于合資公司存有疑問,表現(xiàn)在兩家巨頭公司對于未來的進(jìn)一步投資都沒有絲毫承諾。存儲器業(yè)拼的是資金,需要采用最先進(jìn)的制程及12英寸硅片的高產(chǎn)能。據(jù)說合資企業(yè)將承擔(dān)13億美元定期貸款和2.5億美元的循環(huán)信貸,更重要的事實(shí)是這些債務(wù)將都要由合資公司承擔(dān)。這意味著英特爾和意法將不會再對其合資企業(yè)的約8000名員工及36億美元的年?duì)I收負(fù)責(zé)。英特爾和意法都沒打算向合資企業(yè)提供任何幫助,僅希望其自主奮斗。“負(fù)重前行”的新合資公司要逾越這多重難關(guān)殊為不易。

           

          相變存儲器是否能重塑新格局

           

              讓業(yè)界關(guān)注的是近年來正在實(shí)現(xiàn)商用的相變存儲器。在2006年6月時(shí),英特爾與ST就曾合作開發(fā)一種結(jié)合了NOR閃存與閃存特點(diǎn)的新技術(shù)PCM(相變存儲器)。據(jù)英特爾Roadmap顯示,相變存儲器的優(yōu)勢在于大于100萬個(gè)寫入周期,及大于10年的保存期,且無須刪除,直接就可改寫數(shù)據(jù),因此性能要比D(動(dòng)態(tài)存儲器)強(qiáng)多倍,將來是要替代D市場,它在初期目標(biāo)市場將是手機(jī)和其他便攜式產(chǎn)品。

              ST公司曾稱,容量達(dá)數(shù)GB的PCM將采用45nm或32nm工藝,將在2007年后生產(chǎn)樣品,2008年后進(jìn)行大量生產(chǎn)。英特爾曾表示,PCM產(chǎn)品可能會采用22nm工藝,這將意味著它的大量生產(chǎn)將在2010年之后。但PCM亦不是英特爾和ST獨(dú)步天下的“獨(dú)門利器”。目前包括IBM公司、Spansion、三星和NEC公司等廠商在內(nèi)的其他許多公司也在努力開發(fā) PCM 產(chǎn)品。Spansion開始研制結(jié)合了NOR與NAND閃存特點(diǎn)的芯片,三星推出了OneNAND和MSystems的mDOC等產(chǎn)品,這表明圍繞閃存新技術(shù)PCM的競爭已然拉開序幕,一輪新的較量就此展開。作為相變存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,英特爾與ST的合資公司能否借由PCM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)自我救贖,還要待市場作分曉。

              近日報(bào)道,Numonyx公司計(jì)劃用以色列的一條8英寸生產(chǎn)線,于2008年第四季度開始生產(chǎn)NOR閃存,2009年時(shí)達(dá)到每周8000片。這是全球第一個(gè)用 45納米制程生產(chǎn)NOR芯片的生產(chǎn)線。

              位于以色列南部的KiryatGat芯片廠,重新取名叫Fab1,目前采用65納米制程,公司生產(chǎn)NOR閃存的規(guī)格從32Mb到1Gb,每單元只能存儲一個(gè)數(shù)據(jù)位的單層單元到多層單元技術(shù)(MLC)的發(fā)展,不僅大幅度提高了存儲密度,還降低了每個(gè)字節(jié)的存儲成本,因此,采用多層單元和相變存儲兩大技術(shù)的存儲器是存儲器技術(shù)發(fā)展的一次重大進(jìn)步。

              該工廠之前為英特爾的Fab18,從1999年開始釆用180納米生產(chǎn)微處理器。因此工廠累積總投資已達(dá)22億美元。2008年估計(jì)再投資5000萬至1億美元。目前Numonyx掌握全球NOR閃存的 35%市場份額,在Spansion和三星之后。

           

          Numonyx前景需拭目以待

           

              英特爾與意法合資新建的Numonyx新廠,剛于4月1日正式亮相,在存儲器的下降周期時(shí)誕生可能并不是好兆頭。盡管它們的老東家的實(shí)力強(qiáng)大,但是從開始起它們對于成立新公司的目的就有甩包袱的嫌疑。

              雖然全球閃存市場的前景仍然看好,但只有那些舍得繼續(xù)投入,采用最先進(jìn)制程興建超級芯片廠的制造商才能夠獲得成功,所以新公司將面臨更大的競爭。

              開發(fā)新的存儲器技術(shù)是能跳出目前拚投資怪圈的有效方法。雖然相變存儲器PCM有許多優(yōu)點(diǎn),但必須要面臨產(chǎn)業(yè)化的最大考驗(yàn)。因此預(yù)計(jì)下一步全球閃存制造商間的兼并重組不可避免。

              至于Numonyx的前景究竟如何?需拭目以待。

          相關(guān)鏈接 存儲器市場現(xiàn)狀

           

              全球存儲器市場已經(jīng)經(jīng)歷過多次震蕩,如1995年時(shí),全球DRAM產(chǎn)值增長達(dá)40%,達(dá)到400多億美元的高峰,1996年時(shí)卻出現(xiàn)40%的負(fù)增長。到了1998年,同樣的歷程反過來又重演一次,當(dāng)年的產(chǎn)值負(fù)增長達(dá)30%,而至1999年時(shí)卻又大幅增長達(dá)60%。

              全球DRAM產(chǎn)業(yè)通過1995~2005年期間的篩選,已從20多個(gè)廠家,減至今天的5家主要大廠。他們分別為韓國的三星及海力士,日本的Elpida,美國的Micron及歐洲的奇夢達(dá)。我國臺灣地區(qū)雖也有4大存儲器制造或代工廠,分別為力晶,茂德,南亞及威邦,但由于缺乏自有的技術(shù),只能作代工,還沒有自有的品牌。如果計(jì)入代工能力之后,市場占有率三星仍占首位,達(dá)27%,海力士加茂德為26.6%,奇夢達(dá)加南科為16.9%,爾必達(dá)加力晶為15.8%,美光為11.2%。

              近期又報(bào)道美光與南亞合資要在美國Idaho再建12英寸廠,表明美國國家的意志在起作用,美國除了微處理器在全球稱霸之外,在存儲器中也不甘心落后。業(yè)界預(yù)計(jì)目前的存儲器5大家即將發(fā)生變化,不知有誰將忍不住虧損而退出。

              實(shí)際上,2007年DRAM單元出貨量增長81%,但是平均銷價(jià)ASP下降達(dá)39%,超出業(yè)界的預(yù)期。據(jù)Gartner報(bào)道,2007年全球存儲器銷售額下降8.4%,NAND閃存銷售額原先預(yù)期增長26%,實(shí)際僅增長2.3%,為133億美元。而NOR型閃存從2006年的85億美元,增加至2007年的98億美元,增幅達(dá)15%。

              由此,或許可能產(chǎn)生另外一種觀點(diǎn),全球半導(dǎo)體業(yè)的周期性起伏越來越弱,而存儲器的周期性卻越來越明顯,成為主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)沉浮的主要推力。

           

          閃存前景優(yōu)于DRAM

           

              從SIA對各類器件在2007年至2010年期間的預(yù)測,如圖所示,閃存的年均復(fù)合增長率達(dá)20%,而存儲器僅為1.5%,表明閃存的前景看好。

              而在閃存中無論是NAND還是NOR型的表現(xiàn)均不差。僅從2008年來看,手機(jī)出貨量將成長10%,達(dá)到12.33億部,其中插記憶卡的比重占50%;數(shù)碼相機(jī)出貨量年增長率達(dá)14%,為1.3億臺;隨身碟出貨量年增長率達(dá)25%,為1.7億部;MP3/PMP播放機(jī)的出貨量年增率達(dá)20%,其中采用NAND閃存比重達(dá)85%。以下為2007年全球NAND閃存排名及市場份額表。

           

          工藝技術(shù)跨入5x納米12英寸占主流

           

              在摩爾定律指引下,全球半導(dǎo)體工藝制程幾乎每兩年跨入一個(gè)新的臺階。在采用最先進(jìn)工藝制程中,存儲器領(lǐng)先于邏輯電路,而存儲器中尤以NAND閃存走在最前面,如圖所示。

              全球存儲器的主流工藝制程技術(shù),在2005年時(shí)為90納米,2007年時(shí)已進(jìn)入70納米制程,估計(jì)自2008年開始,全球幾家頂級存儲器廠都會向5x納米過渡。全球DRAM廠花大錢投資70納米制程,卻因?yàn)镈RAM價(jià)格下跌遠(yuǎn)快于DRAM制程技術(shù)所產(chǎn)生的成本下跌速度,使70納米制程成為DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來最短命的技術(shù)。通常一個(gè)世代制程技術(shù)大多可使用2年,有的3年,此次70納米制程技術(shù)僅使用1年,恐是DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來最不劃算的投資。

              我國臺灣地區(qū)的力晶于2007年第二季開始導(dǎo)入70納米制程,會在2008年第二季時(shí)投入下世代65納米制程技術(shù)。三星于2007年第二季度導(dǎo)入68納米,2008年轉(zhuǎn)入58納米制程;海力士目前采用66納米制程,2008年第二季度時(shí)將導(dǎo)入54納米制程。至于溝槽式技術(shù)方面稍落后,現(xiàn)在導(dǎo)入70納米,1年后導(dǎo)入58納米制程。估計(jì)2008年全球NAND閃存廠將有可能進(jìn)入40納米制程競爭。

              隨著先進(jìn)制程在存儲器業(yè)中的競逐,12英寸硅片的性價(jià)比開始超出8英寸,導(dǎo)致全球存儲器業(yè)開始淘汰8英寸而全面轉(zhuǎn)向12英寸。在存儲器業(yè)中全球有43條8英寸生產(chǎn)線,估計(jì)每年以25%左右的比例升級至12英寸或者售出。



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