臺積電將28納米制程定位為全世代制程

　　臺積電日前宣布，將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程，同時提供客戶高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇，以支持不同產(chǎn)品的應(yīng)用及效能需求。此一28納米制程預(yù)計于2010年第一季開始生產(chǎn)。

　　臺積公司28納米系列制程同時具備了高介電層/金屬閘以及氮氧化硅閘晶體管兩種選擇的彈性制造能力，而28納米制程將是此一系列中的全世代制程。目前有多個客戶正使用臺積公司28納米制程進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計，藉由與客戶密切的協(xié)同合作，可以讓客戶選用最佳化的晶體管材料，以達(dá)到速度、耗電與成本考量的目標(biāo)。

　　臺積公司全球業(yè)務(wù)暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示：“產(chǎn)品差異化、加快產(chǎn)品上市時程以及最佳投資效益，是臺積公司提供給客戶最重要的三個價值。有鑒于此，我們正在開發(fā)一個全備的28納米制程系列，來滿足客戶不同產(chǎn)品應(yīng)用及效能的需求。”

　　以氮氧化硅為基礎(chǔ)的28納米低耗電高效能制程-28LPT (Low Power/High Performance)制程，是此一制程系列中總功耗最低及具備成本效益的選擇，與40納米低耗電制程(40LP)相較，其閘密度預(yù)計可增為2倍，速度可增加最多達(dá)50%或功耗減少30%至50%。28LPT制程預(yù)計于民國九十九年初即可開始生產(chǎn)，可應(yīng)用于行動基頻、應(yīng)用處理器、無線網(wǎng)絡(luò)與可攜式消費性電子產(chǎn)品等。

　　由于無線和行動消費性產(chǎn)品日新月異，為了協(xié)助客戶搶得市場先機，臺積公司遂決定在成功的氮氧化硅材料基礎(chǔ)上開發(fā)28 LPT制程。過去幾年，消費者的需求是低漏電且電池壽命長久的可攜式電子產(chǎn)品，而今消費者對無線通訊設(shè)備的需求，除了傳統(tǒng)的通話和簡訊發(fā)送功能之外，更希望其具備上網(wǎng)、視訊串流(Video Streaming)、音樂、行動電視、衛(wèi)星導(dǎo)航等功能。目前，在電池壽命方面，消費者更關(guān)心的是操作功耗的多寡，而氮氧化硅材料的閘電容量較低，操作功耗較一般高介電層/金屬閘要小，為受到電力限制的產(chǎn)品提供較低的總功耗優(yōu)勢、更佳的成本效益及更低的風(fēng)險。

　　臺積公司先進(jìn)技術(shù)事業(yè)資深副總經(jīng)理劉德音表示：“我們的客戶期待一個高效能、低操作功耗與具有成本效益的技術(shù)，可針對他們的市場需要來開發(fā)各種可攜式消費產(chǎn)品。”

　　至于28納米高效能制程(High Performance，28HP)則是臺積公司第一個使用高介電層/金屬閘的制程，將著重于中央處理器、繪圖處理器及可程序邏輯門陣列(FPGAs)等高效能的產(chǎn)品應(yīng)用，預(yù)計于民國九十九年上半年度開始生產(chǎn)。此外，與40納米泛用型制程(40G)相較，在類似的電力密度下，28HP制程的閘密度增為2倍，速度則高出30%以上。而在28納米世代之后的更新世代制程，高介電層/金屬閘材料將具有明顯的優(yōu)勢。

　　臺積公司的28納米制程目前提供α版的設(shè)計套件支持，預(yù)計于今年底開始推出快速且頻繁的晶圓共乘服務(wù)(CyberShuttle™)予客戶進(jìn)行產(chǎn)品試制。

　　臺積公司目前正與客戶及設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴密切合作，于近來揭示的開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform™)上建構(gòu)一完善的28納米制程設(shè)計基礎(chǔ)，目標(biāo)在于協(xié)助客戶使用此一制程系列發(fā)展眾多不同產(chǎn)品的差異化。開放創(chuàng)新平臺系由臺積公司提供客戶及合作伙伴實踐創(chuàng)新的最佳平臺。