應(yīng)用材料公司推出光刻空間成像技術(shù)

　　近日，應(yīng)用材料公司宣布推出Aera2™ for Lithography系統(tǒng)。半導(dǎo)體制造商通過運用該系統(tǒng)的IntenCD™技術(shù)可以提升硅片的臨界尺寸一致性(CDU)超過20%，增加器件的良率并降低每片硅片的圖形曝光成本。此外，Aera2™ for Lithography系統(tǒng)可以延長光掩膜的壽命并提高整個光刻區(qū)域的生產(chǎn)力。

　　應(yīng)用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)事業(yè)部總經(jīng)理Tom St. Dennis表示：“ 對于45nm及以下技術(shù)節(jié)點的臨界尺寸均勻性要求是非常高的，特別是對于雙圖形曝光（double patterning）工藝。并且至少一半的臨界尺寸的變化來自于光掩膜。通過在光刻區(qū)域中采用應(yīng)用材料公司已被驗證的空間成像技術(shù)，我們正在幫助芯片制造商追蹤并修正光掩膜質(zhì)量上的偏差，從而獲得更精準(zhǔn)的圖形曝光，縮短光刻周期并延長光掩膜的可用性。”

　　這項新光刻應(yīng)用的關(guān)鍵是Aera2 平臺的IntenCD技術(shù)，它能夠?qū)⒄麄€光掩膜生成高精度、高清晰的臨界尺寸均勻性空間圖像。用IntenCD圖像代替基于硅片的測量結(jié)果，做出判斷的時間可以從兩天縮短到僅僅一個小時。并且由于消除了多次硅片處理步驟可能帶來的累積誤差，結(jié)果的準(zhǔn)確性也得到了提高。更準(zhǔn)確的均勻性數(shù)據(jù)使得先進的光刻掃描機可以對臨界尺寸的變化作出補償，大大提高硅片生產(chǎn)中的線寬精度，最終提高產(chǎn)品良率。

　　使用IntenCD技術(shù)定期檢查光掩膜可以大大延長其壽命，這是相當(dāng)重要的優(yōu)點，特別是考慮到現(xiàn)在單個關(guān)鍵器件工藝層光掩膜的價值可能超過10萬美元。光掩膜的屬性在多次累積曝光以后會發(fā)生巨大的和非均勻的變化，霧狀缺陷生成和鍍膜退化引起臨界尺寸誤差。生產(chǎn)主管可以用預(yù)知計劃取代傳統(tǒng)的定期光掩膜修復(fù)，Aera2系統(tǒng)可以縮短光掩膜修復(fù)周期，提高其壽命和可用性。

　　為了優(yōu)化光刻周期，業(yè)界領(lǐng)先的Applied Tetra™ Reticle Clean光掩膜清潔系統(tǒng)也可以被使用到光刻區(qū)域中，這樣光掩膜就不必送到工廠外面去修復(fù)了。Aera2和Tetra Reticle Clean系統(tǒng)是應(yīng)用材料公司強勁的已被驗證的光刻解決方案中的最新產(chǎn)品，它們將幫助客戶實現(xiàn)成本經(jīng)濟的下一代器件的光刻應(yīng)用。