Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

　　近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。

　　固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC的特點是容量大成本低，但相應(yīng)速度也較低;SLC的特點是成本高容量小，但是速度更快。受益于先進的34納米制程，英特爾MLC固態(tài)硬盤的容量將會獲得巨大突破，有望從目前的160GB提升到320GB。SLC固態(tài)硬盤的進度相對要慢一些，預(yù)計英特爾SLC固態(tài)硬盤還得等到2010年才能達到320GB容量。