半導(dǎo)體投資放緩導(dǎo)致產(chǎn)能下降 明年芯片廠投資增60%

　　根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備權(quán)威機(jī)構(gòu)SEMI的報(bào)道，由于今年半導(dǎo)體投資迅速下降，導(dǎo)致全球產(chǎn)能下降。

　　SEMI認(rèn)為如果半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速與全球經(jīng)濟(jì)同步復(fù)蘇，目前的低投資水平無(wú)法滿足需求。

　　SEMI預(yù)計(jì)明年芯片廠投資將增加60%。

　　然而，2009年在很低水平，如08年用于芯片廠房建設(shè)投資為46億美元，而09年僅16億美元。預(yù)計(jì)明年為28億歐元。

　　全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)于2008年消費(fèi)260億美元，2009年為140億美元， 而2010年預(yù)計(jì)為220億美元。

　　總的半導(dǎo)體用于廠房投資，包括設(shè)施及設(shè)備，2008、2009及2010年分別為310億美元，150億美元及250億美元?？磥?lái)要恢復(fù)到2008年水平尚有長(zhǎng)路要走。

　　SEMI認(rèn)為2009年所有地區(qū)都緊縮開(kāi)支，相對(duì)來(lái)說(shuō)由于英特爾及Globalfoundries存在，使得美國(guó)與歐洲/中東相對(duì)緊縮少些。

　　08年花錢(qián)廠家領(lǐng)先的為三星， 東芝/新帝， 英特爾， 爾必達(dá)/力晶， 海力士， 美光/英特爾 閃存JV， 臺(tái)積電與美光。09年的排名， 英特爾， 三星， 臺(tái)積電和東芝/新帝。而2010年預(yù)期為英特爾，三星，臺(tái)積電和globalfoundries。

　　從制造器件類別分，存儲(chǔ)器(閃存和DRAM) 于2010年時(shí)占最大份額為47%，而08及09年分別占60%及40%。

　　代工占23%，及MPU占17%。而邏輯電路有望在2010年翻倍， 由09年的8%到2010年的10%。

　　全球代工從Q1很低，到Q2迅速上升。如臺(tái)積電報(bào)道自Q2開(kāi)始增加投資。全球代工的投資于09年下降10%，而其它產(chǎn)品的投資下降均在兩位數(shù)以上。

　　未來(lái)全球芯片產(chǎn)能能滿足市場(chǎng)需求?SEMI的回答，全球09年總計(jì)產(chǎn)能因有些工廠關(guān)閉可能下降2.5%，而到2010年將有4.5%增長(zhǎng)。如果與08年相比，產(chǎn)能僅增加2%。

　　一年之前SEMI曾根據(jù)市場(chǎng)需求， 產(chǎn)能投資計(jì)劃等作過(guò)一個(gè)激進(jìn)的預(yù)測(cè)，至2010年底時(shí)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能為每月1900萬(wàn)片(等效8英寸計(jì)， 這是指大半導(dǎo)體，包括分立，光電器件等) 。如今修正為每月1600萬(wàn)片，也即每月減少300萬(wàn)片。