英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻　三星買氣清淡

　　隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場活絡度則降低。

　　英特爾和美光進入NAND Flash市場以來，一直處于追趕三星狀態(tài)，然2009年領先推出全球成本最低的34納米制程技術，相較于三星和東芝(Toshiba)最先進制程分別為42與41納米，以及海力士(Hynix)41納米近期開始量產出貨，英特爾陣營打了漂亮一仗，并促使三星和東芝下半年快馬加鞭要轉進30納米制程。

　　除加快制程腳步，美光2009年在NAND Flash市場布局相當具企圖心，原本蘋果(Apple)新產品iPhone 3G S的NAND Flash供應商以東芝為主，然近期下游廠透露，美光NAND Flash產品已通過iPhone 3G S認證，預計8月開始出貨，這對于美光而言，將是相當重要里程碑。

　　存儲器模塊廠透露，近期英特爾與美光陣營在現(xiàn)貨市場價格策略犀利，幾乎是以大殺價方式，吸引下游廠買盤進駐，一方面是美光和英特爾34納米制程極具成本競爭力，有本錢繼續(xù)殺價，另一方面則是策略性地搶食原本三星客戶族群。

　　下游廠透露，目前32Gb芯片價格約5.8~6美元，英特爾與美光價格比其它同業(yè)便宜近1美元，而三星2009年策略大轉變，堅持守住利潤而不沖營收作法，讓三星目前在32Gb芯片價格，比英特爾陣營足足高出近3美元，1顆報價接近8美元，中間價差相當驚人，而同樣情況亦出現(xiàn)在64Gb產品價格上。

　　存儲器廠指出，英特爾與美光這招降價策略其實相當奏效，近期市場詢問度提高很多，買賣交易顆粒幾乎以英特爾與美光產品居多，三星不僅較貴，加上其對現(xiàn)貨市場釋出貨源有限，使得三星顆粒詢問度降低。

　　模塊廠表示，這其實符合2009年三星在NAND Flash領域策略方向，包括獲利至上、不盲目沖刺市占率和營收，策略性降低現(xiàn)貨供應比重，主攻系統(tǒng)OEM等大型合約客戶，過去常出現(xiàn)與臺廠有暗盤交易、價格保護(PP)等方式，2009年一律不再出現(xiàn)，此舉有助于三星獲利結構更穩(wěn)定，但亦使得部分現(xiàn)貨市場客戶開始倒向英特爾與美光等陣營。