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          一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法

          作者:黃麗華 時(shí)間:2009-08-31 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            圖3. 不同柵極偏壓下測得的噪聲數(shù)據(jù)

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/97638.htm

            為了分析柵氧電容相關(guān)性或進(jìn)行其他進(jìn)一步的研究,我們還測量了不同柵氧厚度下的。圖4給出了不同柵氧厚度下的測試結(jié)果。

            圖4. 不同柵氧厚度下pMOS器件的測量數(shù)據(jù)

            然后,我們就可以估算出參數(shù),建立不同的模擬模型。圖5給出了在一個(gè)p溝道MOSFET的強(qiáng)反型區(qū)中測得的漏極電流噪聲功率。



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