一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法
圖5. 漏極電流1/f噪聲與柵極偏壓的關(guān)系
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/97638.htm5. 結(jié)束語
本文介紹了一種評測MOSFET 1/f噪聲的晶圓級測量方法和配置方案。這種測量技術(shù)可以在晶圓上自動(dòng)進(jìn)行。由于這種配置方案能夠測出低于100Hz的低頻噪聲分量,因此能夠有效提取到MOSFET的1/f噪聲。
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