英特爾22納米制程技術(shù)最新動態(tài)

　　2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國舊金山舉行。今天，英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術(shù)的芯片。英特爾繼續(xù)不懈地追求延續(xù)摩爾定律，讓最終用戶受益。兩年前英特爾展示了基于前一代32納米技術(shù)的測試電路，而此次峰會標志著第三代高k金屬柵極晶體管的誕生。此次發(fā)布的22納米技術(shù)表明摩爾定律繼續(xù)有效，正在引領我們前行。

• 在處理器和其他邏輯芯片使用22納米制程技術(shù)之前，SRAM 作為測試平臺證明了22納米的技術(shù)性能、工藝良率和芯片可靠性。
• 英特爾22納米技術(shù)現(xiàn)在處于全速發(fā)展階段，按既定步調(diào)將“Tick-tock模式”推進到下一代。
• 該22納米測試電路包括用于22納米微處理器的SRAM存儲器和邏輯電路。
• 在364兆位的陣列中，有單位面積為0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM單元在工作。0.108平方微米的單元為低電壓操作而優(yōu)化;而0.092平方微米的單元為高密度而優(yōu)化，而且是迄今所知電路中可工作的最小的SRAM單元。該測試芯片在指甲蓋大小的面積上集成了29億個晶體管，密度大約是之前32納米芯片的兩倍。
• 22納米尺寸使用的曝光工具波長為193納米，證明了英特爾精妙的光刻技術(shù)。
• 22納米技術(shù)延續(xù)了摩爾定律：晶體管更小，每個晶體管能效(性能/瓦)更高、成本更低。