三星將增產(chǎn)DDR3內(nèi)存芯片

　　三星公司半導(dǎo)體事業(yè)部總裁Oh-Hyun Kwon透露，三星公司正在逐步增加其DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能，因此預(yù)計最近市場上出現(xiàn)的內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張的局面很快便會有所緩解。據(jù)Kwon表示，最近市場對DDR3內(nèi)存芯片的需求漲勢很旺，甚至超過了三星的預(yù)期，為了滿足市場的需求，三星準(zhǔn)備增大DDR3芯片的產(chǎn)能，另外Kwon還宣稱三星目前已經(jīng)在使用40nm制程技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片產(chǎn)品，而明年40nm制程則將成為三星的主力制程。

　　另外Kwon還表示三星將主要通過制程技術(shù)升級等技術(shù)升級手段來達(dá)到增加產(chǎn)能的目的，他并稱建造新芯片廠并非增長產(chǎn)能的唯一途徑。

　　他同時暗示，由于各國政府都出臺了一系列刺激計劃，因此最近一段時間的芯片市場需求出現(xiàn)逐步上升的現(xiàn)象，不過內(nèi)存芯片工業(yè)要取得持續(xù)的穩(wěn)步增長，仍然有賴于市場的實際需求。

　　他還表示內(nèi)存業(yè)者11月份底后將對內(nèi)存芯片的價格走勢達(dá)成比較清晰的共識。并認(rèn)為目前的內(nèi)存芯片價格已經(jīng)恢復(fù)到“合理”的水平。

　　Kwon是在9月22日臺北舉行的一次三星移動解決方案年會上做出此番評述的。