ARM制成45nm SOI測(cè)試芯片 功耗降低40% 作者: 時(shí)間:2009-10-12 來源:電子產(chǎn)品世界 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫查詢 收藏 據(jù)ARM的研究人員的報(bào)道,公司制成的45nm SOI測(cè)試芯片和普通相同尺寸工藝相比,功耗可減少40%。該結(jié)果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/98763.htm
評(píng)論