電子材料出現(xiàn)融合趨勢(shì)，協(xié)作和多樣化日趨重要

　　圖1. SAFC材料發(fā)展規(guī)劃線路圖。

　　對(duì)半導(dǎo)體材料開發(fā)的定期監(jiān)督非常重要，它可確保材料供應(yīng)商與當(dāng)前及未來(lái)的行業(yè)需求保持步調(diào)一致。 對(duì)于介入點(diǎn)的選擇和時(shí)機(jī)，以及電子材料需求量，會(huì)受到許多可變因素的影響，我們經(jīng)常分析外部指導(dǎo)方針，例如 ITRS 路線圖、設(shè)備開發(fā)的趨勢(shì)和經(jīng)濟(jì)情況、并結(jié)合與客戶合作的經(jīng)驗(yàn)對(duì)我們自身的研發(fā)計(jì)劃進(jìn)行評(píng)估。 這樣，我們就能與半導(dǎo)體行業(yè)的材料要求保持同步，并在行業(yè)要求發(fā)生改變時(shí)，重新制定我們的材料發(fā)展規(guī)劃。

　　展望未來(lái)，除了其它趨勢(shì)以外，業(yè)內(nèi)會(huì)繼續(xù)關(guān)注柵極應(yīng)用的下一代 high-K 技術(shù)和電容器應(yīng)用的 high-K 和 ultra high-K 介電技術(shù)，并繼續(xù)開發(fā)用于 DRAM 的金屬柵極和新型電極材料以及用于銅阻擋層和銅晶種的材料。 我們積極參與了用于相變存儲(chǔ)器 (PCM) 應(yīng)用的材料的開發(fā)，現(xiàn)在正在對(duì)它們進(jìn)行更加細(xì)致的評(píng)估，因?yàn)?PCM 很快就成為替代 NAND 閃存不二選擇。作為一家公司，SAFC Hitech 在開發(fā)用于高容量 PCM 應(yīng)用的鍺銻碲 (GST) 先驅(qū)體上已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。 PCM 是一種非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器，它實(shí)現(xiàn)了最大特征尺寸的進(jìn)一步擴(kuò)展，超過(guò)傳統(tǒng)的閃存可能達(dá)到的極限，從而提供更大的存儲(chǔ)容量和卓越的存儲(chǔ)性能。