力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶NAND Flash技術(shù)或許比不上三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)，但絕對可追平海力士(Hynix)。

　　業(yè)界原本認(rèn)為力晶這次不會參與「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」，加上南亞科和華亞科到最后關(guān)頭，卻對于是否送件態(tài)度轉(zhuǎn)為遲疑，TIMC順理成章成為這次DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫唯一候選人，對于獲得政府補(bǔ)助款亦是如囊中物，然力晶卻在20日丟出1顆深水炸彈，宣布成立TFC，以NAND Flash為主軸來規(guī)劃臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展，再度震撼全球存儲器業(yè)者。

　　黃崇仁表示，臺灣不能沒有NAND Flash產(chǎn)業(yè)，放眼全球，包括三星、海力士、美光(Micron)等大型存儲器公司，都是DRAM和NAND Flash業(yè)務(wù)并存，臺灣必須跳脫DRAM產(chǎn)業(yè)格局，全面進(jìn)軍NAND Flash市場，同時將過去DRAM產(chǎn)業(yè)的量產(chǎn)規(guī)模，復(fù)制到NAND Flash業(yè)務(wù)上，協(xié)助下游廠商解決NAND Flash貨源全部箝制于韓系大廠的命運(yùn)。

　　力晶NAND Flash業(yè)務(wù)源自于2003年為瑞薩(Renesas)代工的AG-AND Flash，2005年買斷AG-AND Flash技術(shù)后，開發(fā)成自有NAND Flash技術(shù)，目前50和70奈米制程已進(jìn)入量產(chǎn)，2010年將導(dǎo)入40奈米制程。黃崇仁強(qiáng)調(diào)，TFC規(guī)劃投入新臺幣200億元，其中，將邀請政府出資 80億元之內(nèi)，并分為兩階段募資，第1階段先募資100億元，政府和民間各募資45億和55億元，至于民間募資對象涵蓋存儲器模塊廠、封測廠、外商等，整個計畫案已趕在20日下午截止時間前送交經(jīng)濟(jì)部。

　　至于在未來營運(yùn)規(guī)畫上，TFC將分3個階段進(jìn)行，第1階段定位在IC設(shè)計公司，掌握設(shè)計能力，產(chǎn)能部分交由力晶負(fù)責(zé)代工，第2階段將整并力晶約4萬片生產(chǎn)線產(chǎn)能，第3階段則是整合臺灣其它DRAM廠產(chǎn)能，長期NAND Flash產(chǎn)能目標(biāo)是8萬~12萬片。

　　黃崇仁強(qiáng)調(diào)，TFC符合“經(jīng)濟(jì)部”要求自有技術(shù)扎根條件，因?yàn)镹AND Flash技術(shù)完全是自己的，不需要支付任何權(quán)利金，跳脫原有DRAM產(chǎn)業(yè)格局，進(jìn)入未來成長性高的NAND Flash產(chǎn)業(yè)，亦符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求創(chuàng)新條件，未來整合臺灣其它DRAM廠產(chǎn)能，更可讓臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)生態(tài)更健康，相較于TIMC目前還不確定是否可拿到爾必達(dá)(Elpida)技術(shù)，TFC更符合條件。

　　黃崇仁表示，TFC計畫亦是為未來18寸晶圓廠世代來臨作準(zhǔn)備，相較于DRAM產(chǎn)業(yè)應(yīng)用長期局限于PC領(lǐng)域，NAND Flash應(yīng)用擴(kuò)大至智能型手機(jī)、記憶卡、固態(tài)硬碟(SSD)，近期NAND Flash產(chǎn)能都被蘋果(Apple)包走，讓臺灣下游廠面臨缺貨之苦，遂決定成立TFC計畫，也可嘉惠產(chǎn)業(yè)上、下游。此外，他亦強(qiáng)調(diào)，這次TFC計畫與爾必達(dá)及瑞晶無關(guān)，系由力晶獨(dú)立送件。