內(nèi)存市場價量普漲，存儲廠商轉(zhuǎn)虧為盈

　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。

　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%

　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。DDR2產(chǎn)品出現(xiàn)缺貨情況，因日本和南韓的記憶體晶片制造商，皆已轉(zhuǎn)向生產(chǎn) DDR3 DRAM。PC制造商對DRAM的需求增長強勢，部分原因在于微軟的新系統(tǒng) Windows 7 需要，Windows 7將于10月22日正式公開亮相。雖然說Windows7不是救世主，但是Windows7也極大的刺激了內(nèi)存方面的消費。一般用以制造隨身型音樂播放器的16GB NAND Flash，9月平均價格增加4%到4.70 美元。32GB的款式價格則上揚11% 至約7.50 美元。

　　智能手機的普及，也提高了Flash記憶體的需求。一位分析師臆測指出，此波價格上漲乃因為蘋果公司大幅調(diào)升其iPhone 3GS產(chǎn)品的生產(chǎn)數(shù)量。蘋果最新發(fā)行的iPod播放器，銷售情況也相當優(yōu)秀強勁。另一方面，全球第2大的NAND制造商東芝高層人士指出，大容量SD卡的需求也正與日俱增。無論是內(nèi)存還是閃存，在10月的時候，還會有進一步上揚的態(tài)勢。我國南方山寨廠商，要想進一步壓低成本，可以在最近多囤積一些內(nèi)存閃存，以便應付即將到來的圣誕節(jié)和春節(jié)的大批量訂單。

　　DRAM現(xiàn)貨坐地起價飆到2.5美元

　　本月初DRAM站穩(wěn)2美元后，隨旺季需求延續(xù)，上周以來DRAM漲勢加速，每天都以上漲逾3%的幅度前進，目前DDR3、DDR2持續(xù)走漲，1Gb DDR2 800MHz上漲2.71%，來到2.5美元，創(chuàng)近一年半新高價。

　　1Gb DDR2上漲2.64%，為2.41美元;1Gb DDR3上漲1%，來到2.35美元。預計本月上旬現(xiàn)貨價飆漲超過兩成，1Gb DDR2不但抵2.5美元，且價格超越DDR3，預期短期仍有機會挑戰(zhàn)新高，惟波段漲幅已高，本月下旬漲勢可能降溫。隨現(xiàn)貨走揚，力晶積極擴產(chǎn)，有利10月營收再攀高。9月南科合約價漲幅約15%，本月合約價漲勢可望加溫，預估南科10月合約價漲幅二成以上。

　　高規(guī)格生產(chǎn)工藝嚇死人

　　日本記憶體晶片大廠爾必達宣布，將在年底導入40納米制程量產(chǎn)，爾必達在臺合作伙伴力晶、瑞晶隨后跟進，成本競爭力大增。由于40納米技術(shù)可增加近五成產(chǎn)出，爾必達聯(lián)盟對后段封測協(xié)力廠力成將擴大訂單，同步受惠。爾必達計劃斥資400億日圓約為4.52億美元，跨入40納米制程以提高產(chǎn)出，爾必達表示，由現(xiàn)今50納米制程微縮到下個世代制程，每片晶圓產(chǎn)出可增加44%。

　　另外半導體大廠三星子、海力士半導體均大舉微縮制程，以增加單一晶圓的產(chǎn)出量。透過制程微縮來降低成本，平均每一個納米世代，所投入成本約10億美元左右。伴隨著記憶體價格回升，今年以來主流DRAM價格約上漲3倍之多，具有實力半導體廠展開另一回合制程競賽。