臺(tái)積電12寸新廠南北齊攻　總投資額上看60億美元

　　隨著聯(lián)電、中芯等競(jìng)爭(zhēng)者45納米制程推展進(jìn)程加快，晶圓代工龍頭臺(tái)積電決定擴(kuò)大投資力道，全面拉開(kāi)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手差距，臺(tái)積電計(jì)劃南、北開(kāi)攻，啟動(dòng)新竹、南科12寸晶圓廠全新擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，總投資額將上看60億美元，預(yù)計(jì)2010年下半起展開(kāi)裝機(jī)。由于臺(tái)積電先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)及良率將成為2010年重點(diǎn)營(yíng)運(yùn)主軸，亦將牽動(dòng)內(nèi)部人事異動(dòng)，業(yè)界傳出負(fù)責(zé)先進(jìn)制程營(yíng)運(yùn)的副總劉德音，極可能擢升為空缺許久的營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)(COO)。不過(guò)，臺(tái)積電26日并未證實(shí)上述說(shuō)法。

　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，中芯在上海技術(shù)論壇宣布45納米制程近日即將投產(chǎn)，加上聯(lián)電擴(kuò)大布建新加坡生產(chǎn)基地Fab 12i在45/40納米制程產(chǎn)能，迫使向來(lái)在先進(jìn)制程領(lǐng)先的臺(tái)積電，不得不擴(kuò)大投資力道，以保持在產(chǎn)能與技術(shù)領(lǐng)先，并穩(wěn)住晶圓代工一哥地位。因此，臺(tái)積電本周將登場(chǎng)的法說(shuō)會(huì)上，預(yù)料將宣布對(duì)2010年資本支出走向看法，其中，12寸廠擴(kuò)建將是眾所矚目焦點(diǎn)，且預(yù)料臺(tái)積電11月董事會(huì)亦將針對(duì)擴(kuò)產(chǎn)及資本預(yù)算進(jìn)行討論。

　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積電2010年資本支出將達(dá)30億美元，其中有部分資金將投入新一波12寸廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，臺(tái)積電整個(gè)12寸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫規(guī)模相當(dāng)驚人，將同時(shí)啟動(dòng)新竹、南科12寸廠超大晶圓廠(GigaFab)擴(kuò)產(chǎn)，包括新竹Fab 12第5期，以及南科Fab 14第4期，總投資金額估計(jì)可能上看60億美元。

　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，近期臺(tái)積電Fab 12第5期已悄悄完成整地，預(yù)計(jì)2010年起開(kāi)始興建廠房，待廠辦與無(wú)塵室工程完成后，2010年10月可望進(jìn)行裝機(jī);至于南科12寸廠Fab 14第4期亦預(yù)計(jì)在2010年底導(dǎo)入機(jī)器設(shè)備，預(yù)計(jì)2座廠產(chǎn)能各約單月3.5萬(wàn)片，并將投入45/40納米以下制程技術(shù)研發(fā)及生產(chǎn)。

　　事實(shí)上，聯(lián)電自2009年第3季起于臺(tái)南12寸廠Fab 12A展開(kāi)45/40納米制程投片，為大客戶賽靈思(Xilinx)代工可程序邏輯閘陣列(FPGA)芯片，聯(lián)電為擴(kuò)大產(chǎn)能，并搶攻市場(chǎng)占有率，亦將在新加坡生產(chǎn)基地Fab 12i積極啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫。設(shè)備業(yè)者表示，目前包括德儀(TI)、恩威迪亞(NVIDIA)、超微(AMD)都有相關(guān)合作案，手機(jī)芯片大廠英飛凌 (Infineon)及聯(lián)發(fā)科亦有進(jìn)入45/40納米制程計(jì)畫，這讓臺(tái)積電必須得加速先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)腳步。