臺(tái)積電40nm制程仍存良率不足問(wèn)題

　　據(jù)業(yè)界分析，臺(tái)積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問(wèn)題。今年早些時(shí)候，臺(tái)積電曾公開(kāi)承認(rèn)此問(wèn)題，但后來(lái)他們宣稱已解決先前大部分良率問(wèn)題。不過(guò)，根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會(huì)議的內(nèi)容，我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對(duì)臺(tái)積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔(dān)憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。

　　不過(guò)并非所有廠商的情況均是如此，比如Altera公司便表示其委托臺(tái)積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。”

　　相比之下，Nvidia則對(duì)臺(tái)積電的40nm制程良率表達(dá)了較為不信任的意見(jiàn)，據(jù)Barclays公司的分析師 C.J. Muse透露：“在Nvidia的會(huì)議上，與會(huì)者整晚都在討論臺(tái)積電的40nm產(chǎn)能及良率問(wèn)題。”

　　“管理層討論了臺(tái)積電的良率改進(jìn)，但他們認(rèn)為改進(jìn)的程度仍顯不足。盡管良率的確有所改進(jìn)，但不容忽視的是臺(tái)積電曾提到目前40nm制程制作過(guò)程中仍存在腔體匹配問(wèn)題(Chamber matching：即保證各個(gè)用于對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入的工藝腔氣體配方成分盡量一致)，希望他們能盡快解決。”

　　此前有消息指出，造成臺(tái)積電40nm制程腔體匹配問(wèn)題的罪魁禍?zhǔn)资瞧潆x子注入設(shè)備的供應(yīng)商。

　　“AMD與Nvidia均受到此問(wèn)題的影響，而AMD搶先兩個(gè)月推出DX11顯卡產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)則正逐步被這個(gè)問(wèn)題所抵消掉.”